[发明专利]阵列基板及其制备方法、液晶面板和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括显示区域和设置于所述显示区域周边的驱动电路，其特征在于，所述显示区域和所述驱动电路均包含至少一个薄膜晶体管TFT，其中，

所述显示区域包含的TFT的栅电极为导电材料，所述驱动电路包含的TFT的栅电极为透明导电材料。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电材料为氧化铟锡ITO或者氧化铟锌IZO。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括缓冲层、多晶硅层、栅绝缘层、电极绝缘层和绝缘层，所述驱动电路包含的TFT的栅电极位于所述电极绝缘层和绝缘层之间，且位于所述电极绝缘层的上方，所述绝缘层的下方。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括缓冲层、多晶硅层、栅绝缘层、电极绝缘层和绝缘层，所述栅电极位于所述绝缘层的上方。

5.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：

在玻璃基板上依次制备缓冲层、多晶硅层、栅绝缘层、电极绝缘层、源漏电极层、栅电极层和绝缘层，其中，所述栅电极层采用物理气相沉积法制备；或者

在玻璃基板上依次制备缓冲层、多晶硅层、栅绝缘层、电极绝缘层、源漏电极层、绝缘层和栅电极层，其中，所述栅电极层采用物理气相沉积法制备。

6.一种液晶面板，包括阵列基板、彩膜基板以及位于所述彩膜基板和阵列基板之间的液晶，所述阵列基板包括显示区域和设置于所述显示区域周边的驱动电路，其特征在于，所述显示区域和所述驱动电路均包含至少一个薄膜晶体管TFT，其中，

所述显示区域包含的TFT的栅电极为导电材料，所述驱动电路包含的TFT的栅电极为透明导电材料。

7.如权利要求6所述的液晶面板，其特征在于，所述透明导电材料为氧化铟锡ITO或者氧化铟锌IZO。

8.如权利要求6所述的液晶面板，其特征在于，所述阵列还包括缓冲层、多晶硅层、栅绝缘层、电极绝缘层和绝缘层，所述驱动电路包含的TFT的栅电极位于所述电极绝缘层和绝缘层之间，且位于所述电极绝缘层的上方，所述绝缘层的下方。

9.如权利要求6所述的液晶面板，其特征在于，所述阵列基板还包括缓冲层、多晶硅层、栅绝缘层、电极绝缘层和绝缘层，所述驱动电路包含的TFT栅电极位于所述绝缘层的上方。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6~9任一权利要求所述的液晶面板。