[发明专利]具有提高的使用寿命的有机发光装置有效

专利信息
申请号: 201210518420.X 申请日: 2012-12-05
公开(公告)号: CN103178212A 公开(公告)日: 2013-06-26
发明(设计)人: 尹振渶;李昌浩;申大烨;孙永睦;吴一洙;高熙周;赵世珍;李宝罗;李衍祐;金范俊;李重根;宋英宇 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 王达佐;阴亮
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 具有 提高 使用寿命 有机 发光 装置
【权利要求书】:

1.有机发光装置,其包括:

衬底;

在所述衬底上的第一电极;

在所述第一电极上的有机发光层;以及

在所述有机发光层上的第二电极,

其中所述有机发光层包括主体、掺杂剂和电子陷阱材料,以及

所述电子陷阱材料具有分别低于所述主体的LUMO(最低未占据分子轨道)水平和HOMO(最高占据分子轨道)水平的LUMO水平和HOMO水平。

2.如权利要求1所述的有机发光装置,其中在所述第一电极和所述有机发光层之间布置有空穴注入层和空穴传输层中的至少一种。

3.如权利要求1所述的有机发光装置,其中在所述有机发光层和所述第二电极之间布置有电子传输层和电子注入层中的至少一种。

4.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述主体为荧光主体。

5.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述电子陷阱材料具有分别低于所述主体的LUMO水平和HOMO水平0.1eV至0.5eV的LUMO水平和HOMO水平。

6.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述电子陷阱材料具有分别低于所述主体的LUMO水平和HOMO水平0.1eV至0.3eV的LUMO水平和HOMO水平。

7.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述电子陷阱材料由下列通式1表示:

[通式1]

其中:

X表示芳香烃,以及

R1、R2、R3、R4、R5和R6各自表示H、[EW]、R或R-[EW],以及

其中:

H表示氢,

[EW]表示吸电子基团,以及

R表示芳香族化合物,以及

其中:

R1至R6不均为氢(H)。

8.如权利要求1所述的有机发光装置,其中相对于100重量份的所述主体,所述有机发光层包括1重量份至25重量份的所述掺杂剂和1重量份至50重量份的所述电子陷阱材料。

9.如权利要求1所述的有机发光装置,其中以1:1-2(掺杂剂:电子陷阱材料)的重量比包含所述掺杂剂和所述电子陷阱材料。

10.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述电子陷阱材料具有比所述掺杂剂更短的发射波长。

11.如权利要求1所述的有机发光装置,其中通过主体材料、掺杂剂材料和电子陷阱材料的共沉积来形成所述有机发光层。

12.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述掺杂剂具有分别高于所述主体的LUMO水平和HOMO水平的LUMO水平和HOMO水平。

13.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述掺杂剂具有分别高于所述主体的LUMO水平和HOMO水平0.1eV至0.5eV的LUMO水平和HOMO水平。

14.制造有机发光装置的方法,所述方法包括:

在衬底形成第一电极;

在所述第一电极上形成包括主体、掺杂剂和电子陷阱材料的发光层;以及

在所述发光层上形成第二电极;

其中,所述电子陷阱材料具有分别低于所述主体的LUMO水平和HOMO水平的LUMO水平和HOMO水平,以及

所述有机发光层的形成包括使用用于主体材料、掺杂剂材料和所述电子陷阱材料的沉积源的沉积步骤。

15.如权利要求14所述的方法,其中在所述沉积步骤中,所述主体材料、掺杂剂材料和电子陷阱材料同时沉积。

16.如权利要求14所述的方法,其中在室中进行所述沉积步骤,以及

将所述主体材料、掺杂剂材料和电子陷阱材料各自放置在沉积材料容器中,同时引入所述室中。

17.如权利要求16所述的方法,其中在单独的沉积材料容器中,将所述掺杂剂材料和电子陷阱材料以混合状态引入所述室中。

18.如权利要求14所述的方法,其还包括在形成所述第一电极之后且在形成所述发光层之前,形成空穴注入层和形成空穴传输层中的至少一种。

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