[发明专利]集成电路以及用于集成电路的方法

说明书

技术领域

本发明的实施方式涉及电子电路技术领域，并且更具体地涉及一种集成电路和用于集成电路的方法。

背景技术

当前，电源管理芯片(IC)在电子设备系统中的应用非常广泛，起着电能变换、分配、检测及其他电能管理的作用。考虑到电能需要变换的跨度通常很大，在电源管理IC中通常存在多个电压域，这些电压域按照时间先后顺序建立，实现电能的分级管理。

例如，手机充电器是一种常见的电源管理IC。一种常用的手机充电器连接于220V的市电和手机之间，用于将220V的交流电变换成适于为手机充电的5V直流电。这种手机充电器通常包括两个电压域，由先建立的第一电压域将220V的交流电变换成24V的直流电，再由后建立的第二电压域将24V的直流电变换成5V的直流电，该5V的直流电输出给手机用于进行充电。

通常，在后面的电压域中使用MOS晶体管作为接口，用于接收来自前面的电压域的输出电压。在实际设计中，常使用PMOS晶体管，因为NMOS晶体管传递不了很高的电压。

图1示出了现有的电源管理IC 100的一个示例的框图。在图1中，前面的电压域的内部电源先建立，后面的电压域的内部电源后建立。为方便起见，以下分别将前面的电压域和后面的电压域称为第一电压域和第二电压域。如图1所示，第二电压域通过一个PMOS晶体管作为接口，接收来自第一电压域的信号。具体地，第一电压域的输出电压输入到第二电压域中的PMOS晶体管的源极，该PMOS晶体管的漏极再输出供第二电压域中其他器件使用的电压。

在图1中，第二电压域的PMOS晶体管的N型衬底连接一个内部电源，该内部电源的输出电压是vdd_lpd。当PMOS晶体管的N型衬底接高电位，P型源极接低电位时，不会发生栓锁。然而，因为第一电压域是先建立的，所以有可能在第二电压域的内部电源建立就绪之前，第一电压域的输出信号就到达了第二电压域的PMOS晶体管的源极。这时，因为第二电压域的内部电源还没有建立好，所以PMOS晶体管的N型衬底接低电位，P型源极接高电位，于是在源极和衬底之间会出现漏电流，如图1中弧线箭头所指示的。该漏电流会导致电源管理IC出现严重错误，从而严重影响了可靠性。

发明内容

针对现有技术的缺陷，本发明的实施方式提供了一种集成电路以及用于集成电路的方法。

根据本发明的第一方面，提供了一种集成电路。该集成电路包括第一电压域和第二电压域，其中第二电压域中的MOS晶体管可操作来与第一电压域连接，并且MOS晶体管的衬底连接于第二电压域的内部电源；该集成电路还包括模拟多路复用电路，其包括第一输入端、第二输入端和输出端，其中第一输入端耦合至第一电压域，第二输入端接地，输出端耦合至MOS晶体管；其中该模拟多路复用电路可操作来：响应于第二电压域的内部电源已经建立就绪，从输出端输出来自第一输入端的信号；以及响应于第二电压域的内部电源尚未建立就绪，从输出端输出来自第二输入端的信号。

在一个实施方式中，该MOS晶体管是PMOS晶体管。

在一个实施方式中，该模拟多路复用电路还包括选择端，该选择端可操作来接收指示信号，该指示信号用于指示第二电压域的内部电源是否已经建立就绪。

在一个实施方式中，该集成电路还包括比较器，其可操作来将第二电压域的内部电源的输出电压与基准电压进行比较并且基于比较结果生成指示信号。

在一个实施方式中，第一电压域的内部电源的建立时间早于第二电压域的内部电源的建立时间。

根据本发明的第二方面，提供了一种用于集成电路的方法，该集成电路包括第一电压域和第二电压域，其中第二电压域中的MOS晶体管可操作来与第一电压域连接，并且MOS晶体管的衬底连接于第二电压域的内部电源。该方法包括接收第一电压域的输出信号作为第一输入信号；接收接地电平信号作为第二输入信号；以及响应于第二电压域的内部电源已经建立就绪，向MOS晶体管输出第一输入信号；响应于第二电压域的内部电源尚未建立就绪，向MOS晶体管输出第二输入信号。

在一个实施方式中，该方法还包括接收一个指示信号，该指示信号用于指示第二电压域的内部电源是否已经建立就绪。

在一个实施方式中，该方法还包括将第二电压域的内部电源的输出电压与基准电压进行比较，并且基于比较结果生成指示信号。

本发明的实施方式通过在第一电压域和第二电压域之间连接模拟多路复用电路，避免了在第二电压域中出现漏电流，从而提高了可靠性。

附图说明