[发明专利]集成电路以及用于集成电路的方法有效
申请号: | 201210518334.9 | 申请日: | 2012-12-05 |
公开(公告)号: | CN103856209A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 孙俊岳;陈利杰 | 申请(专利权)人: | 艾尔瓦特集成电路科技(天津)有限公司 |
主分类号: | H03K19/094 | 分类号: | H03K19/094 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅 |
地址: | 300457 天津市塘沽区经济*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 以及 用于 方法 | ||
1.一种集成电路,包括第一电压域和第二电压域,其中所述第二电压域中的MOS晶体管可操作来与所述第一电压域连接,并且所述MOS晶体管的衬底连接于所述第二电压域的内部电源;所述集成电路还包括:
模拟多路复用电路,其包括第一输入端、第二输入端和输出端,其中所述第一输入端耦合至所述第一电压域,所述第二输入端接地,所述输出端耦合至所述MOS晶体管,并且其中所述模拟多路复用电路可操作来:
响应于所述第二电压域的所述内部电源已经建立就绪,从所述输出端输出来自所述第一输入端的信号;以及
响应于所述第二电压域的所述内部电源尚未建立就绪,从所述输出端输出来自所述第二输入端的信号。
2.根据权利要求1所述的集成电路,所述MOS晶体管是PMOS晶体管。
3.根据权利要求2所述的集成电路,其中所述模拟多路复用电路还包括选择端,所述选择端可操作来接收指示信号,所述指示信号用于指示所述第二电压域的所述内部电源是否已经建立就绪。
4.根据权利要求3所述的集成电路,还包括:
比较器,可操作来将所述第二电压域的所述内部电源的输出电压与基准电压进行比较并且基于比较结果生成所述指示信号。
5.根据权利要求1至4中任何一项所述的集成电路,其中所述第一电压域的内部电源的建立时间早于所述第二电压域的所述内部电源的建立时间。
6.一种用于集成电路的方法,所述集成电路包括第一电压域和第二电压域,其中所述第二电压域中的MOS晶体管可操作来与所述第一电压域连接,并且所述MOS晶体管的衬底连接于所述第二电压域的内部电源,所述方法包括:
接收所述第一电压域的输出信号作为第一输入信号;
接收接地电平信号作为第二输入信号;以及
响应于所述第二电压域的所述内部电源已经建立就绪,向所述MOS晶体管输出第一输入信号;
响应于所述第二电压域的所述内部电源尚未建立就绪,向所述MOS晶体管输出第二输入信号。
7.根据权利要求6所述的方法,所述MOS晶体管是PMOS晶体管。
8.根据权利要求7所述的方法,还包括:
接收一个指示信号,所述指示信号用于指示所述第二电压域的所述内部电源是否已经建立就绪。
9.根据权利要求8所述的方法,还包括:
将所述第二电压域的所述内部电源的输出电压与基准电压进行比较并且基于比较结果生成所述指示信号。
10.根据权利要求6至9中任何一项所述的方法,其中所述第一电压域的内部电源的建立时间早于所述第二电压域的所述内部电源的建立时间。
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