[发明专利]片式电阻器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201210514964.9 申请日: 2012-12-04
公开(公告)号: CN103594212A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 金涌旼;金正逸;田中一郎;金永泰;姜宪求 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01C7/00 分类号: H01C7/00;H01C1/142;H01C17/065
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 王凤桐;周建秋
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 电阻器 及其 制造 方法
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请要求2012年8月17日提交至韩国知识产权局的韩国专利申请号为10-2012-0090322的优先权,该专利申请的内容引入本申请中以作参考。

技术领域

本发明涉及一种片式电阻器(chip resistor)及其制造方法。

背景技术

随着小型化的、轻型的电子设备的需求逐渐增加,片形电子部件被广泛使用以增加电路基板的布线密度。

关于由金属箔形成的一般的电阻器,金属箔和基片可以通过树脂材料,如环氧树脂等,彼此粘合在一起。

此外,关于由金属箔形成的一般的电阻器,电极被形成为具有包层结构(clad structure),或者是通过电镀形成。

当金属箔和基片通过树脂材料彼此粘合时,可能很难将通过金属箔用作片式电阻器的电阻而产生的热转移到具有优异散热性的材料上。因此,片式电阻器所产生的热不能从片式电阻器迅速地消散。由片式电阻器产生的热可能增加电阻器的温度。此外,由于温度的增加,可能改变电阻的水平。当片式电阻器用来检测电流时,作为用于检测电流的电阻器的片式电阻器的精确度可能会降低。

此外,由片式电阻器所产生的热量可能会融化用于形成粘合剂的环氧树脂。因此,在金属箔和电阻器之间的粘合方面可能出现问题。

当电极形成为具有包层结构时,可能难以精确地控制片式电阻器的厚度。

当电极通过电镀形成时,因为在电极边缘的电流密度增大,在电极边缘和中央部分之间可能产生厚度差。电极的厚度差可能影响电阻并可能弱化粘合。

【相关技术文献】

(专利文献1)日本专利特许公开号2010-114167

(专利文献2)美国专利申请公开号2009-0000811

发明内容

本发明的一方面提供了一种具有改进的散热性的片式电阻器及其制造方法。

本发明的另一方面提供了一种包括厚度被精确控制的电极的片式电阻器以及该片式电阻器的制造方法。

本发明的另一方面提供了一种能精确地调整目标电阻的片式电阻器以及该片式电阻器的制造方法。

根据本发明一方面,提供了一种片式电阻器,该片式电阻器包括:陶瓷基片;形成在所述陶瓷基片的表面上的粘合部;以及形成在所述粘合部上的电阻,其中,所述粘合部含有铜(Cu)、镍(Ni)和铜-镍(Cu-Ni)中的至少一种。

所述电阻可以含有铜-镍(Cu-Ni)、铜-镍-锰(Cu-Ni-Mn)和镍-铬(Ni-Cr)中的至少一种。

所述片式电阻器可以进一步包括形成在所述电阻表面上的电极。

所述片式电阻器可以进一步包括形成在所述电极表面上的附加电极,以精确地调整电阻。

所述片式电阻器可以进一步包括部分覆盖所述电阻和所述电极的保护层。

根据本发明的另一方面,提供一种制造片式电阻器的方法,该方法包括:制备陶瓷基片;在所述陶瓷基片的表面上印刷含有铜(Cu)、镍(Ni)和铜-镍(Cu-Ni)中的至少一种的糊状粘合剂;以及在所述糊状粘合剂的上表面形成电阻。

所述电阻可以含有铜-镍(Cu-Ni)、铜-镍-锰(Cu-Ni-Mn)和镍-铬(Ni-Cr)中的至少一种。

所述方法可以进一步包括通过在所述电阻表面上印刷电极膏(electrodepaste)来形成电极。

所述方法可以进一步包括焙烧所述电极。

所述电极的焙烧可以在800℃到1400℃的温度下进行。

所述方法可以进一步包括在所述电极的表面上形成附加电极,以精确地调整电阻。

所述方法可以进一步包括形成部分覆盖所述电阻和所述电极的保护层。

附图说明

以下结合附图的详细描述将更清楚地理解本发明的上述以及其它方面、特征和其他优点,其中:

图1A-1C是根据本发明实施方式的片式电阻器的剖视图;

图2是制造根据本发明实施方式的片式电阻器的方法的流程图;

图3A-3F是用于说明制造图2的片式电阻器的方法的剖视图;

图4A和4B是根据本发明实施方式的糊状粘合剂图案的示意图;和

图5A和5B是根据本发明实施方式的电阻和电极之间的粘合表面的光学显微镜图像。

具体实施方式

在下文中,本发明的实施方式将参照附图来详细描述。然而,本发明可以以很多不同形式实施并且本发明不应该解释为限于在此说明的实施方式。而是,提供这些实施方式以致完全和彻底公开本发明,并将为本领域技术人员充分传达本发明的概念。

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