[发明专利]一种射频LDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种射频LDMOS器件，其沟道掺杂区与漂移区的侧面相接触，在沟道掺杂区与漂移区之上依次具有栅氧化层和栅极；其特征是：所述漂移区在栅氧化层之下的那部分的掺杂浓度小于其余部分的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的射频LDMOS器件，其特征是，所述漂移区与沟道掺杂区的侧面相接触的那部分的掺杂浓度小于其余部分的掺杂浓度。

3.一种射频LDMOS器件的制造方法，其特征是：在栅氧化层的一侧形成沟道掺杂区时，采用倾斜角度的离子注入；该倾斜角度的离子注入在形成与漂移区的侧面相接触的沟道掺杂区的同时，将栅氧化层下方的那部分漂移区中的掺杂浓度进行了补偿。

4.根据权利要求3所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征是，包括如下步骤：

第1步，以离子注入工艺在第一导电类型的外延层中形成第二导电类型的漂移区；

第2步，以热氧化工艺在硅材料表面生长出第一氧化硅，再淀积多晶硅，对多晶硅进行第二导电类型杂质的离子注入；

第3步，以光刻和刻蚀工艺在第一氧化硅和多晶硅上形成第一窗口，该第一窗口仅暴露出部分的外延层；

第4步，在第一窗口中以倾斜角度对外延层2中注入第一导电类型杂质，从而形成与漂移区的侧面相接触的沟道掺杂区，同时对靠近沟道掺杂区的那部分漂移区的掺杂浓度进行了补偿；

第5步，将第一氧化硅和多晶硅分别刻蚀为栅氧化层和多晶硅栅极；

第6步，以源漏注入工艺在栅氧化层远离漂移区的那一端外侧形成第二导电类型的源区，在漂移区远离栅氧化层的那一端外侧形成第二导电类型的漏区；

第7步，整个硅片淀积第二氧化硅，采用光刻和刻蚀工艺使其仅残留在多晶硅栅极的上方、以及漂移区的暴露表面的上方；

第8步，整个硅片淀积一层金属或多晶硅，对其刻蚀形成栅掩蔽层；栅掩蔽层覆盖在部分或全部的第二氧化硅之上；

第9步，在源区中刻蚀出穿越源区、外延层并抵达到衬底中的孔或沟槽，在该孔或沟槽中填充金属形成下沉结构。

5.根据权利要求4所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征是，所述方法第4步中，所述倾斜角度的离子注入在30度以上。

6.根据权利要求4所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征是，各步骤变为：

第1’步至第2’步，分别与第1步至第2步相同。

第3’步，将第一氧化硅和多晶硅分别刻蚀为栅氧化层和多晶硅栅极；

第4’步，以光刻胶覆盖住多晶硅栅极一侧的漂移区，对多晶硅栅极另一侧的外延层采用倾斜角度的离子注入第一导电类型杂质，从而形成与漂移区的侧面相接触的沟道掺杂区，同时对靠近沟道掺杂区的那部分漂移区的掺杂浓度进行了补偿；

第5’步至第8’步，分别与第6步至第9步相同。

7.根据权利要求6所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征是，所述方法第4’步中，所述倾斜角度的离子注入在15度以上。

8.根据权利要求4或6所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征是，所述方法各步骤中去除外延层，将外延层中的结构均改为衬底中。

9.根据权利要求4所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征是，所述方法第2步中，p型杂质包括硼，n型杂质包括磷或砷，离子注入的剂量为1×10¹⁵～1×10¹⁶原子每平方厘米。

10.根据权利要求4所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征是，所述方法第8步中，栅掩蔽层至少相隔第二氧化硅而在部分的漂移区的上方。