[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法和操作方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

第一存储串和第二存储串，第一存储串和第二存储串每个都分别包括顺序串联耦接的第一漏极选择晶体管、第二漏极选择晶体管、多个存储器单元以及源极选择晶体管；

第一位线，所述第一位线与所述第一存储串的第一漏极选择晶体管与第二漏极选择晶体管之间的节点耦接；以及

第二位线，所述第二位线与在所述第二存储串的第一漏极选择晶体管一侧的所述第二存储串的端部节点耦接，从而所述第一位线和所述第二位线与彼此不同的节点耦接，

其中，所述第一存储串和所述第二存储串的第一漏极选择晶体管的栅极彼此耦接，且所述第一存储串和所述第二存储串的第二漏极选择晶体管的栅极彼此耦接。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第一存储串的第一漏极选择晶体管和第二漏极选择晶体管的第一阈值电压比所述第二存储串的第一漏极选择晶体管和第二漏极选择晶体管的第二阈值电压高。

3.一种非易失性存储器件的编程方法，所述非易失性存储器件具有第一存储串和第二存储串，所述第一存储串和所述第二存储串每个都包括串联耦接的第一漏极选择晶体管和第二漏极选择晶体管、多个存储器单元以及源极选择晶体管，所述方法包括以下步骤：

施加位线编程电压到耦接在所述第一存储串的第一漏极选择晶体管与第二漏极选择晶体管之间的第一位线，并施加位线编程禁止电压到与在所述第二存储串的第一漏极选择晶体管的一侧的所述第二存储串的端部耦接的第二位线；

将用于导通所述第一漏极选择晶体管和所述第二漏极选择晶体管的第一电压施加到所述第一存储串和所述第二存储串的第一漏极选择晶体管和第二漏极选择晶体管的栅极；

施加比所述第一电压低的第二电压到所述第一存储串和所述第二存储串的第一漏极选择晶体管的栅极，以关断所述第二存储串的第一漏极选择晶体管；以及

施加编程电压到与所述多个存储器单元之中的选中的存储器单元耦接的字线，

其中，所述第一存储串的第一漏极选择晶体管和第二漏极选择晶体管的第一阈值电压比所述第二存储串的第一漏极选择晶体管和第二漏极选择晶体管的第二阈值电压高。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述第一电压等于或高于所述位线编程禁止电压和所述第二阈值电压的总和，以及

所述第二电压比所述位线编程禁止电压和所述第二阈值电压的总和低。

5.如权利要求3所述的方法，还包括以下步骤：

在施加所述第一电压之后且在施加所述编程电压之前，将等于或低于所述第一电压的第三电压施加到所述第一存储串和所述第二存储串的第二漏极选择晶体管的栅极，以保持所述第一存储串的第二漏极选择晶体管导通。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述第三电压等于或高于所述位线编程电压和所述第一阈值电压的总和。

7.一种非易失性存储器件的编程方法，所述非易失性存储器件具有第一存储串和第二存储串，所述第一存储串和所述第二存储串每个都包括串联耦接的第一漏极选择晶体管和第二漏极选择晶体管、多个存储器单元以及源极选择晶体管，所述方法包括以下步骤：

施加位线编程禁止电压到耦接在所述第一存储串的第一漏极选择晶体管与第二漏极选择晶体管之间的第一位线，并施加位线编程电压到与在所述第二存储串的第一漏极选择晶体管一侧的所述第二存储串的端部耦接的第二位线；

将用于导通所述第一漏极选择晶体管和所述第二漏极选择晶体管的第一电压施加到所述第一存储串和所述第二存储串的第一漏极选择晶体管和第二漏极选择晶体管的栅极；

将比所述第一电压低的第二电压施加到所述第一存储串和所述第二存储串的第二漏极选择晶体管的栅极，以保持所述第二存储串的第二漏极选择晶体管导通，同时关断所述第一存储串的第二漏极选择晶体管；以及

施加编程电压到与所述多个存储器单元之中的选中的存储器单元耦接的字线，

其中，所述第一存储串的第一漏极选择晶体管和第二漏极选择晶体管的第一阈值电压比所述第二存储串的第一漏极选择晶体管和第二漏极选择晶体管的第二阈值电压高。