[发明专利]用于提高石英腐蚀表面光洁度的微掩模去除方法

权利要求书

1.用于提高石英腐蚀表面光洁度的微掩模去除方法，其特征在于包括如下步骤：

步骤(一)、在刻蚀掩模板(5)上加工出镂空图形，并将刻蚀掩模板(5)与衬板(9)、紧固螺钉(10)、元件晶片(3)、压板(8)进行装配，得到等离子体刻蚀夹具，具体装配方法如下：

(a)、将刻蚀掩模板(5)与压板(8)真空吸合；

(b)、将元件晶片(3)放置于刻蚀掩模板(5)下方，与刻蚀掩模板(5)保持一定间隙；

(c)、将刻蚀掩模板(5)上的镂空图形与元件晶片(3)上通过金属掩蔽膜图形化后获得的需要进行微掩模去除的图形对准；

(d)、将元件晶片(3)与刻蚀掩模板(5)接触并真空吸合；

(e)、将衬板(9)与元件晶片(3)接触，紧固螺钉(10)穿过压板(8)和衬板(9)将各层锁紧；

步骤(二)、将等离子体刻蚀夹具装入微波氧等离子体去胶机对元件晶片(3)上需要进行微掩模去除的图形进行残余光刻胶刻蚀，之后再将等离子体刻蚀夹具装入Ar离子束刻蚀机对元件晶片(3)上需要进行微掩模去除的图形进行残余金属刻蚀。

2.根据权利要求1所述的用于提高石英腐蚀表面光洁度的微掩模去除方法，其特征在于：所述刻蚀掩模板(5)为不锈钢板、石英晶片或硅晶片，通过激光或刻蚀技术加工出镂空图形。

3.根据权利要求1或2所述的用于提高石英腐蚀表面光洁度的微掩模去除方法，其特征在于：所述刻蚀掩模板(5)的厚度为100～200μm。

4.根据权利要求1所述的用于提高石英腐蚀表面光洁度的微掩模去除方法，其特征在于：所述压板(8)为不锈钢，厚度为2～5mm，粗糙度低于0.1μm。

5.根据权利要求1所述的用于提高石英腐蚀表面光洁度的微掩模去除方法，其特征在于：所述衬板(9)为铜板，厚度为3～5mm，粗糙度低于0.1μm。

6.根据权利要求1所述的用于提高石英腐蚀表面光洁度的微掩模去除方法，其特征在于：所述步骤(b)中元件晶片(3)与刻蚀掩模板(5)保持20～30μm间隙。

7.根据权利要求1所述的用于提高石英腐蚀表面光洁度的微掩模去除方法，其特征在于：所述步骤(二)中将等离子体刻蚀夹具装入微波氧等离子体去胶机对元件晶片(3)上需要进行微掩模去除的图形进行残余光刻胶刻蚀时，刻蚀功率为50～300W，刻蚀时间为0.5～2分钟。

8.根据权利要求1所述的用于提高石英腐蚀表面光洁度的微掩模去除方法，其特征在于：所述步骤(二)中将等离子体刻蚀夹具装入Ar离子束刻蚀机对元件晶片(3)上需要进行微掩模去除的图形进行残余金属刻蚀时，离子束流为30～50mA，屏极电压为200～500V，刻蚀时间为0.5～1.5小时。

9.根据权利要求1所述的用于提高石英腐蚀表面光洁度的微掩模去除方法，其特征在于：所述刻蚀掩模板(5)和元件晶片(3)上均开有对准窗口，步骤(c)中通过显微观察，利用光刻机的位移调整装置，将刻蚀掩模板(5)上的对准窗口与元件晶片(3)上的对准窗口对准，从而实现刻蚀掩模板(5)上的镂空图形与元件晶片(3)上需要进行微掩模去除的图形对准。