[发明专利]一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅

权利要求书

1.一种后栅工艺假栅的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上生长栅极氧化层；

在所述栅极氧化层上淀积底层非晶硅；

在所述底层非晶硅上淀积氧化膜-氮化膜-氧化膜（ONO）结构硬掩膜；

在所述ONO结构硬掩膜上淀积顶层非晶硅；

在所述顶层非晶硅上淀积硬掩膜层；

在所述硬掩膜层上形成宽度为32nm~45nm的光刻胶线条；

以所述光刻胶线条为标准，对所述硬掩膜层、顶层非晶硅、ONO结构硬掩膜和底层非晶硅进行刻蚀，并去除所述光刻胶线条、硬掩膜层和顶层非晶硅。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以光刻胶线条为标准，对所述硬掩膜层、顶层非晶硅、ONO结构硬掩膜和底层非晶硅进行刻蚀，并去除所述光刻胶线条、硬掩膜层和顶层非晶硅，包括：

将所述光刻胶线条作为所述硬掩膜层的掩膜，对所述硬掩膜层进行刻蚀，去除所述光刻胶线条；

将所述硬掩膜层作为所述顶层非晶硅的掩膜，对所述顶层非晶硅进行刻蚀；

将所述硬掩膜层和所述顶层非晶硅作为ONO结构硬掩膜的掩膜，对所述ONO结构硬掩膜进行刻蚀，去除所述硬掩膜层；

将所述顶层非晶硅和所述ONO结构硬掩膜作为所述底层非晶硅的掩膜，对所述底层非晶硅进行刻蚀，去除所述顶层非晶硅。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在所述栅极氧化层上淀积底层非晶硅，包括：

采用低压化学气相淀积工艺在所述栅极氧化层上淀积底层非晶硅。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述底层非晶硅厚度为600A~1200A。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述底层非晶硅上淀积ONO结构硬掩膜，包括：

通过等离子体增强化学气相淀积工艺在底层非晶硅上淀积底部氧化膜；

通过低压化学气相淀积工艺在所述底部氧化膜上淀积氮化膜；

通过常压化学气相淀积工艺在所述氮化膜上淀积顶部氧化膜。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述底部氧化膜的厚度为80A~120A，所述氮化膜的厚度为160A~240A，所述顶部氧化膜的厚度为500A~800A。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在所述ONO结构硬掩膜上淀积顶层非晶硅和硬掩膜层，包括：

通过低压化学气相淀积工艺在所述ONO结构硬掩膜上淀积顶层非晶硅；

通过热氧化工艺在所述顶层非晶硅上淀积硬掩膜层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述顶层非晶硅厚度为300A~400A，所述硬掩膜层厚度为300A~400A。

9.一种后栅工艺假栅，其特征在于，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的栅极氧化层，位于所述栅极氧化层表面的非晶硅层，和位于所述非晶硅层上的ONO结构硬掩膜，所述非晶硅层和所述ONO结构硬掩膜的宽度为32nm~45nm。

10.根据权利要求9所述的后栅工艺假栅，其特征在于，所述ONO结构硬掩膜包括：底部氧化膜、氮化膜和顶部氧化膜。