[发明专利]MOS晶体管结电容测试结构及表征方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管结电容测试结构，包括第一测试单元和第二测试单元，其特征在于：

所述第一测试单元包括两个或两个以上PN结；

所述第二测试单元包括两个或两个以上MOS晶体管。

2.根据权利要求1所述的MOS晶体管结电容测试结构，其特征在于，所述第一测试单元中的PN结为具有浅沟槽隔离的纵向PN结。

3.根据权利要求2所述的MOS晶体管结电容测试结构，其特征在于，所述所述PN结离子注入掺杂区的掺杂类型、掺杂浓度、离子注入深度均与所述MOS晶体管有源区的掺杂类型、掺杂浓度、离子注入深度相同，且所述PN结和所述MOS晶体管置于相同的半导体衬底或掺杂阱区内。

4.根据权利要求3所述的MOS晶体管结电容测试结构，其特征在于，第二测试单元中所述两个或两个以上MOS晶体管具有相同的侧墙宽度。

5.根据权利要求4所述的MOS晶体管结电容测试结构，其特征在于，所述第一测试单元包括两个纵向PN结，且所述两PN结具有不同的面积和周长。

6.根据权利要求4所述的MOS晶体管结电容测试结构，其特征在于，所述第一测试单元包括n个纵向PN结，其中，n₁个PN结并联形成第一等效PN结，n₂个PN结并联形成第二等效PN结，n、n₁、n₂均为整数且n₁+n₂=n＞2，所述第一等效PN结与所述第二等效PN结具有不同的等效面积和等效周长。

7.根据权利要求4所述的MOS晶体管结电容测试结构，其特征在于，所述第二测试单元包括两个MOS晶体管，且所述两个MOS晶体管具有不同的沟道宽度。

8.根据权利要求4所述的MOS晶体管结电容测试结构，其特征在于，所述第二测试单元包括m个MOS晶体管，其中，m₁个MOS晶体管级联形成第一叉指状MOS结构，m₂个MOS晶体管级联形成第二叉指状MOS结构，m、m₁、m₂均为整数且m₁+m₂=m＞2。

9.根据权利要求8所述的MOS晶体管结电容测试结构，其特征在于，所述第一叉指状MOS结构与第二叉指状MOS结构中MOS晶体管数量相同，沟道宽度不同。

10.根据权利要求8所述的MOS晶体管结电容测试结构，其特征在于，所述第一叉指状MOS结构和第二叉指状MOS结构中MOS晶体管数量不同，沟道宽度相同。

11.一种MOS晶体管结电容表征方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供第一测试单元，包括两个或两个以上具有浅沟槽隔离的纵向PN结；

测量所述第一测试单元中各PN结的结电容；

提取所述第一测试单元中各PN结底部界面单位面积结电容C_js、PN结掺杂区与浅沟槽隔离的边界单位周长结电容C_jsw；

提供第二测试单元，包括两个或两个以上MOS晶体管，所述MOS晶体管有源区的掺杂类型、掺杂浓度、离子注入深度均与所述PN结离子注入掺杂区的掺杂类型、掺杂浓度、离子注入深度相同，且置于与所述PN结相同的半导体衬底或掺杂阱区内；

测量所述第二测试单元中各MOS晶体管的结电容；

提取所述第二测试单元中各MOS晶体管有源区掺杂的横向扩散长度ΔL、有源区与沟道界面处单位沟道宽度结电容C_jswg；

表征MOS晶体管结电容。