[发明专利]非晶合金条带上采用恒电压脱合金法制备掺杂Pd的纳米多孔二氧化钛薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 201210509440.0 申请日: 2012-12-03
公开(公告)号: CN103055891A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 何茂山;朱胜利;崔振铎;杨贤金;刘涛 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: B01J23/89 分类号: B01J23/89;B01J35/10;B01J37/34;H01M4/92;H01M4/88
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 王秀奎
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 非晶合 金条 带上 采用 电压 合金 法制 掺杂 pd 纳米 多孔 氧化 薄膜 方法
【权利要求书】:

1.一种在Ti-Cu-Pd非晶合金条带上采用恒电压脱合金法制备掺杂Pd的纳米多孔二氧化钛薄膜的方法,其特征在于,按照下述步骤进行:

(1)将非晶态Ti-Cu-Pd合金条带清洗干燥后在其双面涂覆硅胶,涂覆硅胶时留出工作长度,待硅胶硬化

(2)配制质量分数为20%-50%的硝酸水溶液倒入反应皿中,并将反应皿置于设定好温度的水浴锅中,将电极系统和上述双面涂覆有硅胶的Ti-Cu-Pd非晶合金条带固定在反应皿中

(3)利用电化学工作站进行脱合金腐蚀过程,恒电压脱合金的电位值为0.5V—1.5V,脱合金的时间3600s—10800s,反应温度50℃—80℃。

2.根据权利要求1所述的一种在Ti-Cu-Pd非晶合金条带上采用恒电压脱合金法制备掺杂Pd的纳米多孔二氧化钛薄膜的方法,其特征在于,所述恒电压脱合金的电位值为1.0V—1.5V,脱合金的时间5400s—7200s,反应温度60℃—70℃。

3.根据权利要求1所述的一种在Ti-Cu-Pd非晶合金条带上采用恒电压脱合金法制备掺杂Pd的纳米多孔二氧化钛薄膜的方法,其特征在于,所述非晶态Ti-Cu-Pd非晶合金条带的合金成分按原子百分比计,Ti的含量为20%—50%,Cu的含量为50%—80%,Pd的含量为1%—10%。

4.根据权利要求3所述的一种在Ti-Cu-Pd非晶合金条带上采用恒电压脱合金法制备掺杂Pd的纳米多孔二氧化钛薄膜的方法,其特征在于,所述非晶态Ti-Cu-Pd非晶合金条带的合金成分按原子百分比计,优选为Ti的含量为30%,Cu的含量为65%69%,Pd的含量为1%—5%。

5.根据权利要求1所述的一种在Ti-Cu-Pd非晶合金条带上采用恒电压脱合金法制备掺杂Pd的纳米多孔二氧化钛薄膜的方法,其特征在于,所述非晶态Ti-Cu-Pd非晶合金条带的厚度为10μm-30μm,宽度为15mm-20mm,长度为5cm-8cm。

6.根据权利要求1所述的一种在Ti-Cu-Pd非晶合金条带上采用恒电压脱合金法制备掺杂Pd的纳米多孔二氧化钛薄膜的方法,其特征在于,所述步骤(1)的工作长度为3cm-4cm。

7.根据权利要求1所述的一种在Ti-Cu-Pd非晶合金条带上采用恒电压脱合金法制备掺杂Pd的纳米多孔二氧化钛薄膜的方法,其特征在于,最终得到材料中的纳米多孔的孔径为20—100nm(例如50—100nm),孔壁为50—100nm,韧带的尺寸为50±25nm且纳米孔洞和韧带均匀分布。

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