[发明专利]提高半导体器件可微缩性的方法在审
| 申请号： | 201210507671.8 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102969280A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 张雄 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 半导体器件 微缩 方法 | ||
1.一种提高半导体器件可微缩性的方法，其特征在于包括：
第一步骤，在浅槽隔离工艺完成后，有源区两侧分别是第一隔离区和第二隔离区，从而自然地形成凹槽结构，有源区表面的衬垫氧化层来自之前的隔离工艺；
第二步骤，用于在硅片表面上沉积氧化物层，所述氧化物层厚度小于1/2的有源区宽度；
第三步骤，用于对氧化物层和衬垫氧化层进行各向异性刻蚀，从而在第一隔离区侧形成自对准的第一侧壁氧化物，在第二隔离区侧形成自对准的第二侧壁氧化物；
第四步骤，用于在第一侧壁氧化物以及第二侧壁氧化物之间生长填充硅；
第五步骤，用于通过选择性湿法刻蚀去除第一侧壁氧化物、第二侧壁氧化物和其下的衬垫氧化物，从而在有源区上方形成硅凸起部。
2.根据权利要求1所述的提高半导体器件可微缩性的方法，其特征在于还包括第六步骤，采用各向同性蚀刻对硅凸起部的上方角部进行圆化处理。
3.根据权利要求1或2所述的提高半导体器件可微缩性的方法，其特征在于还包括第七步骤，用于在第六步骤所形成的结构上依次形成隧穿氧化层、浮栅层或氮化硅层、ONO层以及控制栅极层。
4.根据权利要求1或2所述的提高半导体器件可微缩性的方法，其特征在于，在第四步骤中采用选择性外延生长填充硅单晶层。
5.根据权利要求1或2所述的提高半导体器件可微缩性的方法，其特征在于，所述氧化物层厚度为有源区宽度的1/3。
6.根据权利要求1或2所述的提高半导体器件可微缩性的方法，其特征在于，所述第二步骤采用HTO或TEOS等淀积工艺。
7.一种提高半导体器件可微缩性的方法，其特征在于包括：
第一步骤，在浅槽隔离工艺完成后，有源区两侧分别是第一隔离区和第二隔离区，从而自然地形成凹槽结构，有源区表面的衬垫氧化层来自之前的隔离工艺；
第二步骤，用于在硅片表面上沉积氧化物层，所述氧化物层厚度小于1/2的有源区宽度；
第三步骤，用于对氧化物层和衬垫氧化层进行各向异性刻蚀，从而在第一隔离区侧形成自对准的第一侧壁氧化物，在第二隔离区侧形成自对准的第二侧壁氧化物；
第四步骤，利用侧壁氧化物作为掩模对有源区中间的衬底进行蚀刻，在有源区1中形成凹陷部；
第五步骤，用于通过选择性湿法刻蚀去除第一侧壁氧化物、第二衬垫氧化物和第二侧壁氧化物和其下的衬垫氧化物，，形成中间有凹槽的有源区。
8.根据权利要求7所述的提高半导体器件可微缩性的方法，其特征在于，所述氧化物层厚度为有源区宽度的1/3。
9.根据权利要求7或8所述的提高半导体器件可微缩性的方法，其特征在于，所述第二步骤采用HTO或TEOS等淀积工艺。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210507671.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种油茶籽脱壳机
- 下一篇：一种蒸汽余热回收利用装置及其控制方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
