[发明专利]提高分离栅闪存擦除和耐久性性能的方法

权利要求书

1.一种提高分离栅闪存擦除和耐久性性能的方法，其特征在于包括：

第一步骤，用于在硅片表面制造包括第一存储位单元和第二存储位单元的闪存存储单元；

第二步骤，用于在第一存储位单元和第二存储位单元的侧壁上分别形成自对准的第一氮化硅隔离物和第二氮化硅隔离物；

第三步骤，用于在与形成有第一氮化硅隔离物和第二氮化硅隔离物的闪存存储单元结构邻接的硅片表面形成了第一字线氧化物层；

第四步骤，用于去除第一氮化硅隔离物和第二氮化硅隔离物；

第五步骤，用于在去除了第一氮化硅隔离物和第二氮化硅隔离物的闪存存储单元以及第一字线氧化物层表面整体形成第二氧化物层。

2.根据权利要求1所述的提高分离栅闪存擦除和耐久性性能的方法，其特征在于，闪存存储单元的上表面及侧壁上的第二氧化物层形成了隧穿氧化物层，第一字线氧化物层表面的第二氧化物层和与第一字线氧化物层一起形成了字线氧化物层。

3.根据权利要求1或2所述的提高分离栅闪存擦除和耐久性性能的方法，其特征在于，在第二步骤中，采用CVD的方法沉积氮化硅；然后采用各向异性干法蚀刻的方法形成自对准的氮化硅侧墙。

4.根据权利要求1或2所述的提高分离栅闪存擦除和耐久性性能的方法，其特征在于，在第三步骤中，采用热氧化的方法形成第一字线氧化层。

5.根据权利要求1或2所述的提高分离栅闪存擦除和耐久性性能的方法，其特征在于，在第四步骤中，通过选择性湿法刻蚀去除第一氮化硅隔离物和第二氮化硅隔离物。