[发明专利]有机发光二极管显示器在审
申请号: | 201210505813.7 | 申请日: | 2012-11-30 |
公开(公告)号: | CN103247658A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 李圣秀;宋沃根;具永谟;金世一 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
技术领域
所描述的技术一般涉及有机发光二极管(OLED)显示器。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示器由于其优点已作为下一代显示器受到更多的关注,如宽视角、快速响应率、相对较低的功耗、以及更轻便和更薄的尺寸。
有机发光二极管(OLED)显示器利用形成在每个像素处的有机发光元件所产生的光来显示图像。
除了通常用来表现具有多种色彩的图像的红、绿和蓝(RGB)像素之外,有机发光二极管(OLED)显示器还可添加有用于控制光的量而不具有色彩分量的白色像素,因此具有红、绿、蓝和白(RGBW)像素的有机发光二极管(OLED)显示器备受关注。有机发光二极管(OLED)显示器具有提高色彩表示能力和亮度的优点。
然而,红、绿和蓝(RGB)像素具有不同于白像素的配置,因此当用于有机发光二极管(OLED)显示器的多个绝缘层等同地施加至红、绿和蓝(RGB)像素以及白像素时,白像素的光学效率将恶化。
公开在此背景技术部分中的以上信息仅用于增强对所描述技术的背景的理解,以及因此其可包含这样的信息,其并不形成对于本领域普通技术人员来说在本国已知的现有技术。
发明内容
本发明的各实施方式提供了一种有机发光二极管(OLED)显示器,用于在采用彩色像素和白像素时有效地提高白像素的光学特性。
本发明的一个示例性实施方式提供了一种有机发光二极管显示器,其包括衬底、白像素和彩色像素、彩色过滤层以及覆盖层,其中所述白像素和彩色像素中的每个包括发射区、非发射区、位于衬底上的薄膜晶体管以及有机发光元件,所述有机发光元件位于衬底上且电连接至所述薄膜晶体管并被配置为在所述发射区发射光;所述彩色过滤层位于所述彩色像素的所述发射区,且位于所述彩色像素的所述有机发光元件与所述衬底之间;所述覆盖层具有对应于白像素的发射区的覆盖开口,且在所述彩色像素的所述有机发光元件与所述彩色过滤层之间覆盖所述彩色过滤层。
所述有机发光元件可朝向衬底发射光。
所述彩色像素可对应于多个色彩中的至少一个。
所述彩色过滤层和覆盖层可包括有机材料。
所述有机发光二极管显示器可进一步包括缓冲层,所述缓冲层位于衬底与薄膜晶体管之间,且具有对应于发射区的缓冲开口。
所述缓冲层可包括具有不同材料的多层,且缓冲层的所述多层中至少一层的厚度可小于10nm并包括无机材料。
每个薄膜晶体管可包括有源层、栅电极和栅绝缘层,有源层包括半导体材料,栅电极包括传导材料,栅绝缘层位于有源层与栅电极之间,用于使有源层与栅电极绝缘并具有对应于相应的发射区的栅绝缘开口。
所述栅绝缘开口和缓冲开口可使衬底暴露。
所述栅绝缘层和缓冲层可具有相同的图案。
所述栅绝缘层可包括具有不同材料的多层,且栅绝缘层的所述多层的中至少一层的厚度小于10nm并包括无机材料。
所述有机发光二极管显示器可进一步包括电容器,所述电容器包括位于与有源层相同的层的第一电容器电极,以及位于与栅电极相同的层的第二电容器电极,且栅绝缘层可在第一电容器电极和第二电容器电极之间作为介电材料。
所述有机发光二极管显示器可进一步包括层间绝缘层,所述层间绝缘层在发射区内接触衬底,并覆盖栅电极。
所述层间绝缘层可包括具有不同材料的多层,且层间绝缘层的所述多层的厚度大于10nm并包括无机材料。
所述有机发光二极管显示器可进一步包括位于覆盖层与有机发光元件之间的覆盖保护层,且覆盖保护层的厚度可大于10nm并包括无机材料。
所述有机发光二极管显示器可进一步包括位于彩色过滤层与层间绝缘层之间的彩色过滤保护层,且彩色过滤保护层的厚度可大于10nm并包括无机材料。
根据本发明的实施方式,有机发光二极管(OLED)显示器在使用彩色像素和白像素时,有效地提高了白像素的光学特性。
附图说明
图1示出了根据本发明示例性实施方式的、有机发光二极管(OLED)显示器的彩色像素区的剖面图。
图2示出了根据本发明示例性实施方式的、有机发光二极管(OLED)显示器的白像素区的剖面图。
图3和图4示出了根据本发明示例性实施方式的、用于将实验示例与比较示例相比较的图表。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的