[发明专利]有机发光二极管显示器在审
申请号: | 201210505813.7 | 申请日: | 2012-11-30 |
公开(公告)号: | CN103247658A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 李圣秀;宋沃根;具永谟;金世一 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,包括:
衬底;
白像素和彩色像素,每个包括:
发射区;
非发射区;
位于衬底上的薄膜晶体管;以及
有机发光元件,所述有机发光元件位于衬底上且电连接至所述薄膜晶体管并被配置为在所述发射区发射光;
彩色过滤层,所述彩色过滤层位于所述彩色像素的所述发射区,且位于所述彩色像素的所述有机发光元件与所述衬底之间;以及
覆盖层,所述覆盖层具有对应于所述白像素的所述发射区的覆盖开口,且在所述彩色像素的所述有机发光元件与所述彩色过滤层之间覆盖所述彩色过滤层。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述有机发光元件朝向所述衬底发射光。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述彩色像素对应于多个色彩中的至少一个。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述彩色过滤层和所述覆盖层包括有机材料。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,进一步包括缓冲层,所述缓冲层位于所述衬底与所述薄膜晶体管之间,且具有对应于所述发射区的缓冲开口。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中所述缓冲层包括多层,所述多层包括不同材料,以及
其中,所述缓冲层的所述多层中至少一层的厚度小于10nm并包括无机材料。
7.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中每个所述薄膜晶体管包括:
有源层,包括半导体材料,
栅电极,包括传导材料,以及
栅绝缘层,位于所述有源层与所述栅电极之间,所述栅绝缘层用于使所述有源层与所述栅电极绝缘并具有对应于相应的发射区的栅绝缘开口。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器,其中所述栅绝缘开口和所述缓冲开口使衬底暴露。
9.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器,其中所述栅绝缘层和所述缓冲层具有相同的图案。
10.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器,其中所述栅绝缘层包括多层,所述多层包括不同材料,以及
其中所述栅绝缘层的所述多层的中至少一层的厚度小于10nm并包括无机材料。
11.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器,进一步包括电容器,所述电容器包括:
第一电容器电极,所述第一电容器电极位于与所述有源层相同的层,以及
第二电容器电极,所述第二电容器电极位于与所述栅电极相同的层,
其中所述栅绝缘层位于所述第一电容器电极与所述第二电容器电极之间以作为介电材料。
12.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器,进一步包括层间绝缘层,所述层间绝缘层在所述发射区内接触所述衬底,并覆盖所述栅电极。
13.如权利要求12所述的有机发光二极管显示器,其中所述层间绝缘层包括多层,所述多层包括不同材料,以及
其中所述层间绝缘层的所述多层的厚度大于10nm并包括无机材料。
14.如权利要求12所述的有机发光二极管显示器,进一步包括覆盖保护层,所述覆盖保护层位于所述覆盖层与所述有机发光元件之间,
其中所述覆盖保护层的厚度大于10nm并包括无机材料。
15.如权利要求12所述的有机发光二极管显示器,进一步包括彩色过滤保护层,所述彩色过滤保护层位于所述彩色过滤层与所述层间绝缘层之间,
其中所述彩色过滤保护层的厚度大于10nm并包括无机材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210505813.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的