[发明专利]射频功率放大集成电路及采用其的移动终端有效

专利信息
申请号: 201210504648.3 申请日: 2012-11-30
公开(公告)号: CN102983823A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 路宁;陈高鹏;刘磊;黄清华 申请(专利权)人: 锐迪科创微电子(北京)有限公司
主分类号: H03F3/20 分类号: H03F3/20;H03F3/189
代理公司: 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 代理人: 于淼;杨颖
地址: 100086 北京市海淀区知*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 射频 功率 放大 集成电路 采用 移动 终端
【权利要求书】:

1.一种具有功率控制功能的射频功率放大集成电路,由一功率控制器、三个功率单元模块、偏置电路以及匹配电路连接组成,其特征在于,所述三个功率单元模块由两个功率驱动级模块和一个功率输出放大级模块级联组成,所述两个功率驱动级模块和一个功率输出放大级模块均由BJT晶体管和NMOS晶体管叠加而成;其中,

所述BJT晶体管的发射极接地,所述BJT晶体管的基极为功率信号输入端,所述BJT晶体管的集电极和NMOS晶体管的源极相连,NMOS晶体管的漏极为功率信号输出端,NMOS晶体管的栅极受来自所述功率控制器产生的一个可变电压信号控制。

2.如权利要求1所述具有功率控制功能的射频功率放大集成电路,其特征在于,所述功率控制器进一步为一低压差线性稳压器。

3.如权利要求2所述具有功率控制功能的射频功率放大集成电路,其特征在于,所述低压差线性稳压器进一步由一运算放大器、一PMOS晶体管以及两个电阻组成,其中,所述PMOS晶体管的漏极与一电阻的连接输出端连接三个所述NMOS晶体管的栅极。

4.一种移动终端,其特征在于,该移动终端中采用如权利要求1至3中的任一所述具有功率控制功能的射频功率放大集成电路,该移动终端包括:移动终端基带控制芯片、射频收发器、射频功率放大集成电路、低噪声放大器模块、射频开关模块以及天线;其中,

所述基带控制芯片,分别与所述射频收发器和射频功率放大集成电路相连接,用于合成将要发射的基带信号,或对接收到的基带信号进行解码;

所述射频收发器,分别与所述基带控制芯片、射频功率放大集成电路和低噪声放大器模块相连接,用于对从所述基带控制芯片传输来的基带信号进行处理而生成射频信号,并将所生成的射频信号发送到所述射频功率放大集成电路,或对从所述低噪声放大器模块传输来的射频信号进行处理而生成基带信号,并将所生成的基带信号发送到所述基带控制芯片;

所述射频功率放大集成电路,分别与所述射频收发器和射频开关模块相连接,用于对从所述射频收发器传输来的射频信号进行功率放大的处理后发送给所述射频开关模块;

所述低噪声放大器模块,分别与所述射频收发器和射频开关模块相连接,用于接收来自射频开关模块的信号并将该接收信号处理后发送至所述射频收发器;

所述射频开关模块,分别与所述射频功率放大集成电路、低噪声放大器模块以及天线相连接,用于通过所述天线从外界接收信号送到所述低噪声放大器模块或者发射从所述射频功率放大集成电路传输来的信号。

5.一种具有功率控制功能的射频功率放大集成电路,由一功率控制器、三个功率单元模块、偏置电路以及匹配电路连接组成,其特征在于,所述三个功率单元模块由两个功率驱动级模块和一个功率输出放大级模块级联组成,其中,所述功率驱动级模块均由BJT晶体管组成,所述功率输出放大级模块由BJT晶体管和NMOS晶体管叠加而成;其中,

所述功率输出放大级模块中的BJT晶体管的发射极接地,射频功率信号通过该功率输出放大级模块中的BJT晶体管的基极进入所述功率输出放大级模块,所述功率输出放大级模块中的BJT晶体管的集电极和所述功率输出放大级模块中的NMOS晶体管的源级相连,所述功率输出放大级模块中的NMOS晶体管的漏极是射频信号输出端,所述功率输出放大级模块中的NMOS晶体管的栅极和所述功率控制器的输出接点相连。

6.如权利要求5所述具有功率控制功能的射频功率放大集成电路,其特征在于,所述功率控制器进一步为一低压差线性稳压器。

7.如权利要求6所述具有功率控制功能的射频功率放大集成电路,其特征在于,所述低压差线性稳压器进一步由一运算放大器、一PMOS晶体管以及两个电阻组成,其中,所述PMOS晶体管的漏极与一电阻的连接输出端连接所述功率输出放大级模块中的NMOS晶体管的栅极和两个所述功率驱动级模块的集电极。

8.一种移动终端,其特征在于,该移动终端中采用如权利要求5至7中的任一所述具有功率控制功能的射频功率放大集成电路,该移动终端包括:移动终端基带控制芯片、射频收发器、射频功率放大集成电路、低噪声放大器模块、射频开关模块以及天线;其中,

所述基带控制芯片,分别与所述射频收发器和射频功率放大集成电路相连接,用于合成将要发射的基带信号,或对接收到的基带信号进行解码;

所述射频收发器,分别与所述基带控制芯片、射频功率放大集成电路和低噪声放大器模块相连接,用于对从所述基带控制芯片传输来的基带信号进行处理而生成射频信号,并将所生成的射频信号发送到所述射频功率放大集成电路,或对从所述低噪声放大器模块传输来的射频信号进行处理而生成基带信号,并将所生成的基带信号发送到所述基带控制芯片;

所述射频功率放大集成电路,分别与所述射频收发器和射频开关模块相连接,用于对从所述射频收发器传输来的射频信号进行功率放大的处理后发送给所述射频开关模块;

所述低噪声放大器模块,分别与所述射频收发器和射频开关模块相连接,用于接收来自射频开关模块的信号并将该接收信号处理后发送至所述射频收发器;

所述射频开关模块,分别与所述射频功率放大集成电路、低噪声放大器模块以及天线相连接,用于通过所述天线从外界接收信号送到所述低噪声放大器模块或者发射从所述射频功率放大集成电路传输来的信号。

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