[发明专利]一种氮化硅陶瓷球无效
申请号: | 201210496160.0 | 申请日: | 2012-11-28 |
公开(公告)号: | CN103848628A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 李东炬 | 申请(专利权)人: | 大连大友高技术陶瓷有限公司 |
主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 赵淑梅 |
地址: | 116000 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化 陶瓷球 | ||
技术领域
本发明涉及一种氮化硅陶瓷球,属于陶瓷制备领域。
背景技术
球轴承是滚动轴承的一种,球滚珠装在内钢圈和外钢圈的中间,能承受较大的载荷。陶瓷球特别是氮化硅球具有低密度、高硬度、低摩擦系数,耐磨、自润滑及刚性好等特点,特别适合做高速、高精度及长寿命混合陶瓷球轴承的滚动体。
氮化硅陶瓷的烧结工艺一般为三种:热等静压(HIP)、热压(HP)和气氛压力烧结。
热等静压工艺是将制品放置到密闭的容器中,向制品施加各向同等的压力,同时施以高温,在高温高压的作用下,制品得以烧结和致密化。热等静压可以直接粉末成型,粉末装入模具,然后使用氮气、氩气作加压介质,使粉末直接加热加压烧结成型的粉末冶金工艺,其烧结的压力为150MPa~200MPa。
热压烧结是将干燥粉料充填入模型内,再从单轴方向边加压边加热,压力约为70Mpa,使成型和烧结同时完成的一种烧结方法。该方法具有降低烧结温度,缩短烧结时间,抵制晶粒长大,得到晶粒细小、致密度高和机械、电学性能良好的产品的优点。然而,其烧结压力高,且过程及设备复杂,生产控制要求严,模具材料要求高,能源消耗大,生产效率较低,生产成本高。
气氛烧结是将陶瓷坯体在通入一定气体的炉膛内进行烧结的方法,其烧结压力为5~10MPa。
发明内容
本发明的目的是提供一种氮化硅陶瓷球,该氮化硅陶瓷球具有相对密度高、高硬度、低摩擦系数,耐磨、自润滑及刚性好等,可广泛用作轴承的滚动体。
一种氮化硅陶瓷球,所述陶瓷球的相对密度为98.8%~99.5%、断裂韧性为8.0MPa·m1/2~9.2MPa·m1/2、维氏硬度为20.5GPa~21.5GPa,球度≤0.07μm,表面粗糙度≤0.008μm。
本发明所述氮化硅陶瓷球优选所述陶瓷球的相对密度为99.0%~99.5%、断裂韧性为8.6MPa·m1/2~9.2MPa·m1/2、维氏硬度为21GPa~21.5GPa,球度≤0.05μm,表面粗糙度≤0.005μm。
本发明所述氮化硅陶瓷球优选所述陶瓷球的相对密度为99.2%、断裂韧性为8.9MPa·m1/2、维氏硬度为21.3GPa,球度为0.05μm,表面粗糙度为0.005μm。
本发明所述氮化硅陶瓷球优选按下述方法制备。
一种氮化硅陶瓷球的制备方法,包括陶瓷原料制备、制坯成形、烧结和研磨抛光的步骤,按下述工艺步骤进行:
①陶瓷原料制备:将经干燥后的陶瓷原料按比例混合均匀,过筛,将过筛后的粉料置于球磨机中球磨;
②压制成形:将步骤①所得粉料置于磨具中,采用冷等静压的方法压制成球形;
③烧结:常压下,将粉料置于模具中,在烧结炉于1600℃~1650℃,保温0.5h~2h,停止加热后随炉冷却至室温;
④研磨抛光:将所得陶瓷球进行研磨和抛光;
其中,步骤①中所述陶瓷原料,按质量百分比,由下述组分组成:
本发明所述氮化硅陶瓷球的制备方法优选所述步骤①按下述工艺进行:将经干燥后的陶瓷原料按比例混合均匀,过80~200目筛,将过筛后的粉料置于球磨机中,于300~360r/min的速度球磨6h~10h。
本发明所述氮化硅陶瓷球的制备方法优选所述步骤③按下述工艺进行:常压下,将粉料置于模具中,在烧结炉中以60~80℃/min的速度升温至1600℃~1650℃,保温0.5h~2h,停止加热后随炉冷却至室温。
本发明所述氮化硅陶瓷球的制备方法优选所述步骤④,按下述方法进行:将陶瓷球首先进行研磨加工,随后将进行研磨加工后的工件进行抛光,陶瓷球的球度不超过0.07微米,表面粗糙度不超过0.008微米。
本发明所述氮化硅陶瓷球的制备方法优选所述陶瓷原料,按质量百分比,由下述组分组成:
本发明所述氮化硅陶瓷球的制备方法进一步优选所述陶瓷原料,按质量百分比,由下述组分组成:
本发明所述氮化硅陶瓷球的制备方法进一步优选下述技术方案:
一种氮化硅陶瓷的制备方法,包括下述工艺步骤:
①陶瓷原料制备:将经干燥后的陶瓷原料按比例混合均匀,过80~200目筛,将过筛后的粉料置于球磨机中,于300~360r/min的速度球磨6h~10h;
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