[发明专利]一种氮化硅陶瓷球无效
申请号: | 201210496160.0 | 申请日: | 2012-11-28 |
公开(公告)号: | CN103848628A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 李东炬 | 申请(专利权)人: | 大连大友高技术陶瓷有限公司 |
主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 赵淑梅 |
地址: | 116000 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化 陶瓷球 | ||
1.一种氮化硅陶瓷球,其特征在于:所述陶瓷球的相对密度为98.8%~99.5%、断裂韧性为8.0MPa·m1/2~9.2MPa·m1/2、维氏硬度为20.5GPa~21.5GPa,球度≤0.07μm,表面粗糙度≤0.008μm。
2.根据权利要求1所述的陶瓷球,其特征在于:所述陶瓷球的相对密度为99.0%~99.5%、断裂韧性为8.6MPa·m1/2~9.2MPa·m1/2、维氏硬度为21GPa~21.5GPa,球度≤0.05μm,表面粗糙度≤0.005μm。
3.根据权利要求1所述的陶瓷球,其特征在于:所述陶瓷球的相对密度为99.2%、断裂韧性为8.9MPa、维氏硬度为21.3GPa,球度为0.05μm,表面粗糙度为0.005μm。
4.根据权利要求1所述的陶瓷球,其特征在于:所述陶瓷球按下述方法制备:
①陶瓷原料制备:将经干燥后的陶瓷原料按比例混合均匀,过筛,将过筛后的粉料置于球磨机中球磨;
②压制成形:将步骤①所得粉料置于磨具中,采用冷等静压的方法压制成球形;
③烧结:常压下,将粉料置于模具中,在烧结炉于1600℃~1650℃,保温0.5h~2h,停止加热后随炉冷却至室温;
④研磨抛光:将所得陶瓷球进行研磨和抛光;
其中,步骤①中所述陶瓷原料,按质量百分比,由下述组分组成:
5.根据权利要求4所述的陶瓷球,其特征在于:所述步骤①按下述工艺进行:将经干燥后的陶瓷原料按比例混合均匀,过80~200目筛,将过筛后的粉料置于球磨机中,于300~360r/min的速度球磨6h~10h。
6.根据权利要求4所述的陶瓷球,其特征在于:所述步骤③按下述工艺进行:常压下,将粉料置于模具中,在烧结炉中以60~80℃/min的速度升温至1600℃~1650℃,保温0.5h~2h,停止加热后随炉冷却至室温。
7.根据权利要求4所述的陶瓷球,其特征在于:所述步骤④,按下述方法进行:将陶瓷球首先进行研磨加工,随后将进行研磨加工后的工件进行抛光,陶瓷球的球度不超过0.07微米,表面粗糙度不超过0.008微米。
8.根据权利要求4所述的陶瓷球,其特征在于:所述陶瓷球的制备方法包括下述工艺步骤:
①陶瓷原料制备:将经干燥后的陶瓷原料按比例混合均匀,过80~200目筛,将过筛后的粉料置于球磨机中,于300~360r/min的速度球磨6h~10h;
②压制成形:将步骤①所得粉料置于磨具中,采用冷等静压的方法压制成球形;
③烧结:常压下,将粉料置于模具中,在烧结炉中以60~80℃/min的速度升温至1600℃~1650℃,保温0.5h~2h,停止加热后随炉冷却至室温;
④研磨抛光:将陶瓷球首先进行研磨加工,随后将进行研磨加工后的工件进行抛光,陶瓷球的球度不超过0.07微米,表面粗糙度不超过0.008微米。
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