[发明专利]一种去除死层的常规工艺电池片制备方法

权利要求书

1.一种去除死层的常规工艺电池片制备方法，即在扩散后在用湿法刻蚀的机台在PN结表面通过喷淋的方式进行反刻，反刻工艺采用按照一定比例混合的氢氟酸、硝酸、水的混合酸液，经过一定的反应时间，将表层P含量浓度最高的硅腐蚀掉，然后再经过水槽来去除表面酸残留、碱洗来去除表面的多孔硅。

2.根据权利要求1所述的一种去除死层的常规工艺电池片制备方法，其特征在于经过扩散工艺后，方阻范围控制在60±2Ω/□。

3.根据权利要求1所述的一种去除死层的常规工艺电池片制备方法，其特征在于反刻采用的混酸溶液中氢氟酸的体积分数为3±0.5%，硝酸的体积分数为25±1%，反应时间为15～20秒。

4.根据权利要求1所述的一种去除死层的常规工艺电池片制备方法，其特征在于反刻后的方阻范围控制在75±2Ω/□。