[发明专利]电路连接器装置及其方法有效
| 申请号: | 201210495227.9 | 申请日: | 2012-11-28 |
| 公开(公告)号: | CN103137586A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
| 发明(设计)人: | 洛尔夫·安科·约科伯·格罗恩休斯;斯文·瓦尔奇克;艾米勒·德·布鲁因;洛尔夫·布莱纳 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L21/48;H05K1/18 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电路 连接器 装置 及其 方法 | ||
技术领域
本发明的各种实施例的方面涉及电路,并且具体地涉及在集成电路封装中采用的电路。
背景技术
许多电路、电路装置和集成电路封装被用在需要高性能但是小尺寸的应用中。例如,便携式手持设备受益于非常小、重量轻并且紧凑的集成电路系统。其他设备,诸如那些用于汽车行业、计算行业和各种基于电路产品的设备可以类似地受益于微型化。
当诸如集成电路的电路封装尺寸减小时,所述部件的占地面积也减小。集成电路常常采用在晶片表面上的I/O接触,用于将所述晶片连接至其他部件,诸如连接至其他电路。这种设备的形成常常涉及制造工艺,诸如焊料印制和焊料丝网/印制工艺(screen/stencil process),可能受限于其相对于彼此间隔接触的能力。涉及更精确间隔的其他方法可能是昂贵的或者难以实施的。此外,尽管可以用较小的接触间隔(例如横向二极管或者晶体管)制造一些电路部件,可能需要接触间隔较小的部件必须仍然维持较大的间隔用于兼容性的其他电路部件则不能制造。
这些和其他问题已经给用于多种应用的电路和电路封装的设计和实施方法提出了挑战。
发明内容
各种示例实施例涉及电路及其实施方法。
结合各种实施例,一种电路装置包括用于半导体器件的多侧面接触,所述半导体器件具有相应的接触,相同表面接触比经由不同表面的接触不易到达。与半导体器件的侧壁和表面上的焊料接触相邻的采用隔离区,以便缓解所述焊料与衬底的接触,从而缓解已焊接接触和/或表面之间的泄漏电流和/或短路。电极在所述隔离区周围延伸,分别经由所述电路装置的不同侧面实现与所述器件不同部分的电接触。
根据另一个示例实施例,电极方便与至半导体器件的不同区域的接触,用于与具有多个半导体器件的外部封装连接,其中至所述器件的相同表面连接是空间受限的。所述半导体器件具有第一和第二相对表面以及连接所述相对表面的相对侧壁,包括形成了三维结构的第一和第二(以及另一个)侧壁。所述器件还包括第一和第二不同区域以及分别与所述第一和第二不同区域接触的第一和第二导电接触,所述接触经由公共表面比经由不同表面更不易到达。第一电极与所述第一接触连接并且沿所述第一表面以及沿至少一个侧壁延伸。第二电极与所述第二接触连接并且沿至少一个表面和一个侧壁延伸,所述侧壁不同于所述第一电极延伸所沿的侧壁。其中具有开孔的隔离材料在所述第一表面处将所述第一导电接触外露。所述第一电极延伸通过所述开孔以便接触所述第一导电接触。所述隔离材料使所述第一和第二电极彼此电绝缘并且与所述第一表面和相对的侧壁电绝缘。
更具体的示例实施例涉及一种装置,其中在半导体器件的公共表面附近的第一和第二接触分别与沿所述器件的外表面延伸的电极相连并且提供经由不同表面至所述接触的通路。在一些情况下,在第一表面处实现至第一接触的通路,以及经由相反的表面实现至第二接触的通路。隔离材料使所述电极彼此电隔离并且与所述半导体器件(例如与由所述侧壁和表面限定的掺杂区域)电隔离。
另一个示例实施例涉及一种用于制造半导体器件的方法,用于连接至具有多个半导体器件的外部封装,其中至所述器件的外部连接是空间受限的。在侧壁上以及在半导体器件的第一表面上形成隔离材料,所述器件还具有与所述第一表面相对的第二表面以及在所述相对表面之间延伸的第一和第二相对的侧壁。所述隔离材料具有开孔,使第一导电接触外露在所述第一表面中并且与所述器件中的第一不同区域接触。在所述隔离材料的一部分上形成第一电极,所述部分在所述第一表面上并且在至少一个侧壁上并且延伸通过所述开孔并且接触所述第一接触。形成第二电极,经由第二接触与第二不同区域电接触,沿一个侧壁延伸,所述侧壁不同于所述第一电极延伸所沿的侧壁,从而提供经由与不同侧壁或表面相邻的不同外部连接器至所述第一和第二接触的通路。
上述讨论/总结不旨在描述本公开的每一个实施例或者每个实施方法。下面的附图和详细描述也举例说明了各种实施例。
附图说明
结合附图,考虑到下面的详细描述,可以更全面地理解各种示例实施例,其中:
图1示出了根据本发明示例实施例的处在制造阶段的半导体晶片;
图2示出了根据本发明另一个示例实施例的处在制造隔离阶段的半导体晶片;
图3示出了根据本发明另一个示例实施例的处在制造阶段的半导体晶片,其中所述晶片在晶片箔上倒装;
图4示出了根据本发明另一个示例实施例的处在制造阶段的半导体晶片,所述阶段涉及分割步骤;
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