[发明专利]LED芯片研磨、减薄的保护层及其应用和制备方法

说明书

技术领域

本发明属于LED芯片制备领域，涉及LED芯片研磨、减薄的保护层及其应用和制备方法。

背景技术

一片2英寸的衬底片经在MOCVD内外延磊晶，生长成带有发光层、P层、N层等的芯片，经芯片前工艺制备完成P极、N极及发光区（ITO）等，在LED芯片后工艺的制备过程中需要先对芯片下表面（衬底部分）进行研磨和抛光，以此来提高芯片的一般制备工艺先把芯片正表面（电极侧的表面）通过石蜡及一定的压力固定在陶瓷盘上，然后对芯片进行研磨，减薄到所需厚度进行抛光，在此过程中，固定在陶瓷盘上的芯片背面与研磨轮、抛光盘相互有着紧密接触式的摩擦，在摩擦的过程中研磨轮、抛光盘会对芯片产生一定的应力。由于石蜡是半透明物质，与芯片的颜色非常相似，在研磨减薄抛光工艺后，对芯片正表面的石蜡需要进行清洗去除，但如何鉴别蜡是否完全清洗干净一直是业内亟待解决的问题，因蜡的残余会严重影响下续工艺的良率。

发明内容

[0003] 本发明的发明人通过无数次实验发现，在芯片研磨、减薄的过程中为降低芯片正表面的外观损伤，在芯片研磨、减薄前先在芯片正表面涂布一层保护层后，再通过石蜡及一定的压力固定在陶瓷盘上，而后对芯片进行研磨、减薄到所需的厚度进行抛光等处理，示意图见图1，可以有效降低原研磨、减薄工艺的芯片正表面的损伤率。

[0004] 上述所述在芯片研磨、减薄前先在芯片正表面涂布一层保护层，通过发明人实验发现该保护层优选光阻剂。

[0005] 上述所述在芯片研磨、减薄前先在芯片正表面涂布一层保护层，通过发明人实验发现该保护层优选正光阻剂或负光阻剂。

[0006] 上述所述在芯片研磨、减薄前先在芯片正表面涂布一层保护层，通过发明人实验发现该保护层的厚度选自大于5μm小于15μm之间。优选10μm±2.5μm之间，更优选10μm±0.5μm之间。

[0007] 本发明的发明人在制备保护层时，通过将LED芯片在研磨减薄压蜡前放置于光阻涂布机上，将光阻滴入芯片正表面中间，设置涂布机第一道转速在2000±250dpm之间,时间在10±1.5秒之间，使光阻剂均匀涂布于芯片正表面，第二道转速在3500±250dpm之间，时间在50±5秒之间，使光阻剂能在芯片表面快速风干凝固。

[0008] 将光阻滴入芯片正表面中间，优选设置涂布机第一道转速在2000±250dpm之间,时间在10±1.5秒之间，使光阻剂均匀涂布于芯片正表面，把芯片N极填平并使芯片正表面平整，第二道转速在3500±100dpm之间，时间在50±2秒之间，使光阻剂能在芯片表面快速风干凝固。

[0009] 将光阻滴入芯片正表面中间，更优选设置涂布机第一道转速为2000dpm,时间为10秒，使光阻剂均匀涂布于芯片正表面，第二道转速为3500dpm，时间为50秒，使光阻剂能在芯片表面快速风干凝固。

[0010] 控制上述工艺中保护层的厚度为大于5μm小于15μm之间。优选10μm±2.5μm之间，更优选10μm±0.5μm之间。

[0011] 本发明的发明人发现在LED芯片研磨、减薄后把LED芯片从陶瓷盘上取下来后，需要对芯片表面的石蜡进行除蜡处理，因石蜡是无色透明，在原工艺中对芯片表面的石蜡是否清除干净，一直没有评判方法，导致很多时候芯片表面还有残腊时就进入了下一道工序，严重影响了后续工艺的质量。本发明人通过芯片的保护层发现，在研磨、减薄前对芯片正表面涂布光阻剂后再通过石蜡与陶瓷盘固定，而后在除蜡的过程中，因光阻剂的介入，如果石蜡去除不干净，将在芯片表面留下明显印记，如图2芯片残蜡示意图。所以本发明的保护层可用于判断LED芯片研磨、减薄后芯片表面除蜡是否完全的依据。

附图说明

[0012] 本发明中附图仅为了对本发明进一步解释，不得作为本发明发明范围的限制。

[0013] 附图1 芯片通过涂布保护层后经石蜡固定于陶瓷盘的剖面示意图

附图2 芯片残蜡示意图

1为芯片，2为保护层，3为石蜡，4为陶瓷盘，5为残蜡示意图

具体实施方式

[0014] 本发明的实施例仅为对本发明进行解释，便于本领域普通技术人员能根据本发明内容能实施本发明，不得作为本发明发明范围的限制。

[0015] 实施例1