[发明专利]MOS晶体管的外部寄生电阻的测量方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管的外部寄生电阻的测量方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成MOS晶体管，所述MOS晶体管包括位于半导体衬底上的栅介质层和位于栅介质层上的栅电极、以及位于栅电极两侧的半导体衬底内的源/漏极；

在所述MOS晶体管的栅电极上施加第一电压，在所述MOS晶体管的源极施加第二电压，第一电压不断增大，第二电压保持不变，测量获得不同的第一电压值下对应的至少10个源漏电流值，MOS晶体管始终工作在线性区；

通过第二电压和至少10个源漏电流值，计算获得不同的第一电压下对应的至少10个MOS晶体管源漏电阻，所述MOS晶体管源漏电阻包括沟道区电阻和外部寄生电阻；

通过对不同的第一电压值和对应的至少10个MOS晶体管源漏电阻进行5次方曲线拟合，获得MOS晶体管的外部寄生电阻。

2.如权利要求1所述的MOS晶体管的外部寄生电阻的测量方法，其特征在于，所述拟合的5次方曲线方程为：

R=R_ex+R_ch=R_ex+1/(p₀+p₁×V_g+p₂×V_g²+p₃×V_g³+p₄×V_g⁴+p₅×V_g⁵)，其中所述R为MOS晶体管源漏电阻，R_ex为外部寄生电阻，R_ch为沟道区电阻，V_g为第一电压值，p₀～p₅为系数。

3.如权利要求1所述的MOS晶体管的外部寄生电阻的测量方法，其特征在于，所述第二电压的范围为0.05~0.1伏。

4.如权利要求1所述的MOS晶体管的外部寄生电阻的测量方法，其特征在于，所述第一电压大于MOS晶体管的阈值电压。

5.如权利要求4所述的MOS晶体管的外部寄生电阻的测量方法，其特征在于，所述第一电压的范围为0.6~1.5伏。

6.如权利要求4所述的MOS晶体管的外部寄生电阻的测量方法，其特征在于，所述第一电压呈阶梯式或线性的逐渐增大。

7.如权利要求6所述的MOS晶体管的外部寄生电阻的测量方法，其特征在于，所述第一电压呈阶梯式逐渐增大时，第一电压每次的增大幅度值相等，第一电压每次的增大幅度值范围为0.05~0.1伏。

8.如权利要求1所述的MOS晶体管的外部寄生电阻的测量方法，其特征在于，所述MOS晶体管为PMOS晶体管或NMOS晶体管。

9.如权利要求1所述的MOS晶体管的外部寄生电阻的测量方法，其特征在于，所述栅电极的材料为多晶硅，栅介质层的材料为氧化硅。

10.如权利要求1所述的MOS晶体管的外部寄生电阻的测量方法，其特征在于，所述栅电极的材料为金属，栅介质层的材料为高K材料。