[发明专利]一种紫外增强污染材料测量装置无效
申请号: | 201210491054.3 | 申请日: | 2012-11-27 |
公开(公告)号: | CN102944494A | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 杨青;杨生胜;王鹢;薛玉雄;郭兴;庄建宏;田海;石红 | 申请(专利权)人: | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所 |
主分类号: | G01N5/02 | 分类号: | G01N5/02 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 杨志兵;付雷杰 |
地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 紫外 增强 污染 材料 测量 装置 | ||
1.一种紫外增强污染材料测量装置,其特征在于:所述装置包括:液氮瓶(1)、液氮冷凝层(2)、真空紫外灯(3)、样品台(4)、石英晶体微量天平(5)、高真空插板阀(6)、分子泵(7)、机械泵(8)和真空室(9);
其中,液氮冷凝层(2)包覆在真空室(9)外,液氮瓶(1)与液氮冷凝层(2)相连,机械泵(8)通过阀门与分子泵(7)相连,分子泵(7)与真空室(9)相连,机械泵(8)还通过阀门与真空室(9)直接相连;石英晶体微量天平(5)置于真空室(9)内,真空紫外灯(3)安装于真空室(9)侧壁上,真空紫外灯(3)与石英晶体微量天平(5)处于同一水平高度,保证真空紫外灯(3)能够直射石英晶体微量天平(5),石英晶体微量天平(5)与真空紫外灯(3)的距离为300mm;样品台(4)安装于真空室(9)侧壁上,伸入真空室(9)的一端开有通孔,且样品台(4)含有加热装置。
2.根据权利要求1所述的一种紫外增强污染材料测量装置,其特征在于:所述真空紫外灯(3)为提供波长为10~200nm的紫外光源。
3.一种采用权利要求1所述紫外增强污染材料测量装置的测量方法,其特征在于:所述方法步骤如下:
(1)将样品放入样品台(4)中,打开机械泵(8),打开高真空插板阀(6),对真空室(9)抽真空;
(2)待真空室(9)真空度达到1×10-1Pa后,打开分子泵(7),继续对真空室(9)抽真空;
(3)待真空室(9)真空度达到3×10-3Pa后,打开样品台(4)的加热装置,打开真空紫外灯(3);
(4)待样品台(4)的温度达到50℃~150℃后,使用液氮瓶(1)对冷凝层通入液氮,对真空室(9)进行冷凝;石英晶体微量天平(5)开始工作,使石英晶体微量天平(5)保持在25℃,开始冷凝后6~48h之间读取石英晶体微量天平(5)的示数,即所述天平晶体的频率差;
(5)读数结束后,关闭样品台(4)加热装置,关闭真空紫外灯(3);
(6)关闭高真空插板阀(6),关闭分子泵(7),关闭机械泵(8);
通过以上步骤即得到紫外辐照下材料出气污染实际增强的效应。
4.根据权利要求3所述的采用紫外增强污染材料测量装置的测量方法,其特征在于:步骤(1)所述样品为非金属材料。
5.根据权利要求3所述的采用紫外增强污染材料测量装置的测量方法,其特征在于:步骤(4)所述样品台(4)的加热温度为125℃。
6.根据权利要求3所述的采用紫外增强污染材料测量装置的测量方法,其特征在于:步骤(4)所述读数时间为开始冷凝24h后。
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