[发明专利]一种晶圆干燥方法及装置有效
| 申请号: | 201210489029.1 | 申请日: | 2012-11-26 |
| 公开(公告)号: | CN103000490A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
| 发明(设计)人: | 刘伟;吴仪 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
| 地址: | 100015 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 干燥 方法 装置 | ||
1.一种晶圆干燥方法,其特征是,该方法包括以下步骤:
S1:识别晶圆表面的图形和所述图形沟道的深度;
S2:根据所述晶圆表面的图形和所述图形沟道的深度设置吸液参考点;
S3:根据吸液参考点的位置将吸管调整到图形沟道的底部中点并吸液;
S4:吸液完成后对图形沟道进行气体干燥。
2.如权利要求1所述的方法,其特征是,所述进行气体干燥是通过氮气对图形沟道进行气体干燥。
3.一种实现权利要求1所述方法的晶圆干燥装置,其特征是,该装置包括:
图像检测模块,用于识别晶圆表面的图形和所述图形沟道的深度;
和图像检测模块连接的参数设置模块,用于根据所述识别晶圆表面的图形和所述图形沟道的深度设置吸液参考点;
和图像检测模块及参数设置模块连接的位置调整模块,用于根据所述识别晶圆表面的图形和图形沟道的深度对吸管的位置进行调整;
和位置调整模块连接的吸液模块,用于位置调整后的吸管吸取图形沟道内的液体;
和吸液模块连接的干燥模块,当吸液模块停止吸液后对晶圆表面进行气体干燥。
4.如权利要求3所述的装置,其特征是,所述图像检测模块和参数设置模块通过TCP/IP、WIFI、蓝牙或RS232/485中的一种或多种方式连接。
5.如权利要求3所述的装置,其特征是,所述吸液模块包括真空泵和与所述真空泵连接的吸管阵列面板。
6.如权利要求5所述的装置,其特征是,所述吸管阵列面板上有预定数量的吸管。
7.如权利要求6所述的装置,其特征是,所述吸管的材料包括玻璃、有机物或金属。
8.如权利要求6所述的装置,其特征是,所述吸管的长度为10微米到100微米。
9.如权利要求6所述的装置,其特征是,所述吸管的直径为65纳米到10微米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





