[发明专利]刻蚀设备工艺气体供气装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造设备，特别是涉及一种半导体设备工艺气体供气装置。

背景技术

目前刻蚀设备工艺气体的供气装置结构是将需要的工艺气体按工艺条件设定的流量混合后流入工艺腔中，如图1所示，为传统的刻蚀设备工艺气体的供气装置结构示意图，若干气体管道14中的各种不同流量不同种类的气体混合后，分别流经气体过滤器13及终端气动阀12后从工艺腔11顶部中心流入工艺腔11中。该供气装置中各工艺气体的浓度(比例)在工艺腔的中心和边缘不同部位工艺气体浓度是无法直接调节，导致无法通过精确调节工艺腔中心和边缘的气体配比浓度，来满足刻蚀面内均一性的要求。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种刻蚀设备工艺气体供气装置，能通过调节刻蚀反应腔内中心和边缘不同部位工艺气体浓度(比例)来实现调节刻蚀面内均一性。

为解决上述技术问题，本发明提供的一种刻蚀设备工艺气体供气装置，包括：

工艺腔，用于在其内容纳工艺气体并进行刻蚀反应；

主供气管路，用于往工艺腔内输送主工艺气体，用于刻蚀反应；

多条气体管道，用于输送不同浓度的工艺气体；

还包括辅助供气管路，用于往工艺腔内输送辅助工艺气体，控制和调节工艺腔内中心或边缘一种或多种工艺气体浓度。

进一步的，所述主供气管路包括第一气体过滤器及第一终端气动阀。

进一步的，所述辅助供气管路包括第二气体过滤器及第二终端气动阀。

进一步的，所述辅助供气管路还包括第一支路气动阀及第二支路气动阀。

进一步的，所述工艺腔在顶部中心设置有一小孔，顶部周边设置有多个等距分布的小孔，用于通入工艺气体。

进一步的，所述辅助工艺气体，只从所述工艺腔的中心通入、只从所述工艺腔的边缘通入或者从所述工艺腔的中心及边缘同时通入。

进一步的，其特征在于，所述主供气管路及所述辅助供气管路使用相同的所述气体管道。

进一步的，其特征在于，所述主供气管路及所述辅助供气管路使用不同的所述气体管道。

本发明的刻蚀设备工艺气体供气装置，可以自由的通过调节反应腔内中心和边缘不同部位的刻蚀气体浓度(比例)来实现调节刻蚀均一性。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是传统的刻蚀设备工艺气体供气装置结构示意图；

图2是本发明刻蚀设备工艺气体供气装置第一实施例结构示意图；

图3是本发明刻蚀设备工艺气体供气装置第二实施例结构示意图。

主要附图标记说明：

工艺腔11                     终端气动阀12

气体过滤器13                 气体管道14

工艺腔31                     第一终端气动阀32

第一气体过滤器33             第一支路气动阀34

第二终端气动阀35             第二气体过滤器36

第二支路气动阀37             气体管道38

工艺腔41                     第一终端气动阀42

第一气体过滤器43             第一支路气动阀44

第二终端气动阀45             第二支路气动阀46

第二气体过滤器47             气体管道48

具体实施方式

为使贵审查员对本发明的目的、特征及功效能够有更进一步的了解与认识，以下配合附图详述如后。

如图2所示，为本发明刻蚀设备工艺气体供气装置第一实施例结构，包括工艺腔31，主供气管路，辅助供气管路及N路气体管道38，其中工艺腔31的顶部中心有一个小孔(未标出)，用于中心通入工艺气体，并且在工艺腔31的顶部周边有多个等距分布的小孔(未标出)，用于腔体边缘通入工艺气体，小孔的大小根据需要调节，主供气管路包括第一气体过滤器33及第一终端气动阀32，辅助供气管路包括第二气体过滤器36、第二终端气动阀35、第一支路气动阀34及第二支路气动阀37。