[发明专利]半导体器件的形成方法及检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种半导体器件的形成方法及检测方法。

背景技术

随着集成电路的快速发展，各种需求也日趋复杂。微机电系统（Micro ElectroMechanical Systems，MEMS）发展历史虽然已有数十年的时间，但近年来随着智能手机、汽车电子、医疗电子、物联网等产业的快速发展，对陀螺仪、射频(RF)MEMS元件、MEMS麦克风等MEMS元件产品的需求量持续攀升。这也就在MEMS元件的制造过程中不可避免的要面对各种挑战。

在MEMS元件的顶层晶圆过程（Cap Wafer Process）中，通常需要在背面形成背面标记，之后通过曝光机台对准背面标记，再按照掩膜版图形1:1的比例在晶圆正面曝光，得到正面标记，为了得知形成的定向自组装（DirectedSelf-Assembly，DSA）层的情况，需要所述背面标记和正面标记尽可能的重叠。

技术人员是需要了解这两种标记的重叠情况，而目前业内的做法大多数是采用红外线透射来检测两种标记的重叠情况。目前，这种设备可分为自动和手动两种，而对于一些企业而言，可能由于某些因素而不具备高价格的自动检测设备，而手动操作的设备必然会带来更多的风险，并且对于大批量的生产，采用手动操作需要耗费很大的人力和时间，是不现实的。同时，采用红外线透射来检测会由于背面和正面的焦距不同而导致影像模糊，因此读数不能够保证精确。

因此，能否解决上述问题，对于提高生产效率，保证产品的良率，有着重大的意义。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件的形成方法及检测方法，以解决现有工艺中的检测方法成本高、风险大影响的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：

提供晶圆，所述晶圆的背面形成有背面标记；

在所述晶圆的正面进行第一次曝光，形成第一标记；

将所述晶圆旋转180°，进行第二次曝光，形成第二标记。

可选的，对于所述的半导体器件的形成方法，所述第一标记和第二标记皆包括OM标记和OVL标记。

可选的，对于所述的半导体器件的形成方法，所述OM标记包括两个X标记和两个Y标记。

可选的，对于所述的半导体器件的形成方法，所述X标记和Y标记间隔的均匀排列在晶圆外围。

可选的，对于所述的半导体器件的形成方法，所述X标记皆有多个刻度，所述两个X标记分别为第一X标记和第二X标记，所述第一X标记的长度大于第二X标记的长度。

可选的，对于所述的半导体器件的形成方法，所述第一X标记的每个刻度的宽度大于所述第二X标记的每个刻度的宽度。

可选的，对于所述的半导体器件的形成方法，所述第一X标记的相邻刻度之间的距离小于所述第二X标记的相邻刻度之间的距离。

可选的，对于所述的半导体器件的形成方法，所述Y标记由所述X标记以晶圆中心为轴旋转90°得到。

可选的，对于所述的半导体器件的形成方法，所述OVL标记位于所述晶圆中心。

可选的，对于所述的半导体器件的形成方法，所述OVL标记呈中心对称结构。

可选的，对于所述的半导体器件的形成方法，所述OVL标记包括4个大标记和4个小标记。

可选的，对于所述的半导体器件的形成方法，所述OVL标记呈九宫格排列。

可选的，对于所述的半导体器件的形成方法，所述九宫格中间一格空置。

本发明提供一种对如上所述的半导体器件的形成方法得到的器件进行检测的方法，包括：

采用光学显微镜检测所述OM标记在X和Y方向的位移偏差；

采用套刻检测装置检测所述OVL标记在X和Y方向的位移和放大偏差、旋转偏差和正交偏差；

由检测到的OM标记和OVL标记的偏差结果判断器件的结构优劣。

可选的，对于所述的半导体器件的检测方法，检测所述OM标记的度量范围为0~7.5μm。

可选的，对于所述的半导体器件的检测方法，检测所述OVL标记的度量范围为0~5μm。

本发明提供的半导体器件的形成方法及检测方法中，在形成背面标记后，在晶圆的正面进行两次曝光，获得第一标记和第二标记，则可以通过现有的设备对所述第一标记和第二标记进行检测，从而由第一标记和第二标记的相互关系得知器件的结构情况，避免了手动操作带来的风险，同时由于所述第一标记和第二标记位于同一层面内，读数不精确的问题也得到解决，还能够很大程度上节省人力物力，有利于高效生产。