[发明专利]半导体器件的形成方法及检测方法有效
| 申请号： | 201210485213.9 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103832966A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王清蕴;袁立春;严轶博;杨晓松;郭亮良 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/02;H01L21/66;H01L23/544;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 检测 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供晶圆，所述晶圆的背面形成有背面标记；
在所述晶圆的正面进行第一次曝光，形成第一标记；
将所述晶圆旋转180°，进行第二次曝光，形成第二标记。
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一标记和第二标记皆包括OM标记和OVL标记。
3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述OM标记包括两个X标记和两个Y标记。
4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述X标记和Y标记间隔的排列在晶圆外围，并皆为轴对称结构。
5.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述X标记皆有多个刻度，所述两个X标记分别为第一X标记和第二X标记，所述第一X标记的长度大于第二X标记的长度。
6.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一X标记的每个刻度的宽度大于所述第二X标记的每个刻度的宽度。
7.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一X标记的相邻刻度之间的距离小于所述第二X标记的相邻刻度之间的距离。
8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述Y标记由所述X标记以晶圆中心为轴旋转90°得到。
9.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述OVL标记位于所述晶圆中心。
10.如权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述OVL标记呈中心对称结构。
11.如权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述OVL标记包括4个大标记和4个小标记。
12.如权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述OVL标记呈九宫格排列。
13.如权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述九宫格中间一格空置。
14.对如权利要求2~13任意一项所述的半导体器件的形成方法得到的器件进行检测的方法，其特征在于，包括：
采用光学显微镜检测所述OM标记在X和Y方向的位移偏差；
采用套刻检测装置检测所述OVL标记在X和Y方向的位移和放大偏差、旋转偏差和正交偏差；
由检测到的OM标记和OVL标记的偏差结果判断器件的结构优劣。
15.如权利要求14所述的半导体器件的检测方法，其特征在于，检测所述OM标记的度量范围为0~7.5μm。
16.如权利要求14所述的半导体器件的检测方法，其特征在于，检测所述OVL标记的度量范围为0~5μm。
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