[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，包括：

在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；

在鳍片上形成假栅极绝缘层和第一假栅极层；

在第一假栅极层上形成第二假栅极层，其中，第二假栅极层的掺杂剂量高于第一假栅极层和/或鳍片的掺杂剂量，以用于抑制第一和/或第二假栅极层的侧向外延生长；

图案化第二假栅极层、第一假栅极层、假栅极绝缘层，形成假栅极堆叠结构；

在假栅极堆叠结构沿第一方向的两侧形成栅极侧墙；

去除假栅极堆叠结构，形成栅极沟槽；

在栅极沟槽中形成栅极堆叠结构。

2.如权利要求1的方法，其中，在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片的步骤进一步包括：刻蚀衬底形成沿第一方向延伸的多个沟槽，沟槽之间的衬底剩余部分构成多个鳍片；在沟槽中填充绝缘材料构成浅沟槽隔离。

3.如权利要求1的方法，其中，第一假栅极层和/或第二假栅极层包括多晶硅、非晶硅、非晶锗、非晶碳、SiGe、Si:C及其组合。

4.如权利要求1的方法，其中，第二假栅极层的掺杂剂量大于等于1×10¹⁷/cm²。

5.如权利要求1的方法，其中，第二假栅极层的掺杂元素为硼、磷、砷、铟、锑及其组合。

6.如权利要求1的方法，其中，形成假栅极堆叠结构的步骤进一步包括：

在第二假栅极层上形成硬掩模层；

以硬掩模层为掩模，刻蚀第二、第一假栅极层和假栅极绝缘层，形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构。

7.如权利要求1的方法，其中，形成栅极侧墙的同时，执行过刻蚀工艺，去除鳍片侧壁寄生的侧墙。

8.如权利要求1的方法，其中，形成栅极侧墙的同时，执行过刻蚀工艺，去除假栅极绝缘层，直至暴露鳍片。

9.如权利要求1的方法，其中，形成栅极侧墙之后，进一步包括：

以栅极侧墙为掩模，刻蚀鳍片，形成源漏沟槽；

在源漏沟槽中外延生长形成抬升源漏区。

10.如权利要求1的方法，其中，去除假栅极堆叠之后，进一步包括在栅极沟槽中形成界面层。