[发明专利]精细粒度电源门控有效

专利信息
申请号: 201210483452.0 申请日: 2012-11-23
公开(公告)号: CN103165178A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: R·M·霍勒;S·H·兰菲尔;H·皮罗 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 鲍进
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 精细 粒度 电源 门控
【权利要求书】:

1.一种器件,包括:

存储器阵列,所述存储器阵列包含沿行和列布置的多个单元、每一个都与存储器阵列的列连接的多个真实位线和多个互补位线,每一个互补位线都与多个真实位线中的一个真实位线形成差动对并且与其处于相同的列中,

每一个都与存储器阵列的行连接的多个字线,

沿与多个字线平行的存储器阵列的水平维度设置的多个电源线,所述多个电源线中的每一个由存储器阵列中的相邻单元共享,其中,激活由多个字线中的一个字线选择的行的电源线处于全功率电压值,而激活与所选行相邻的行的电源线处于半功率电压条件,而存储器阵列中的其它的行和列中的单元处于电源门控电压值。

2.根据权利要求1所述的器件,其中,存储器阵列包含沿与多个真实位线和多个互补位线平行的存储器阵列的垂直维度设置的多个接地线。

3.根据权利要求1所述的器件,还包括多个字线解码器,每一个字线解码器都与用于选择存储器阵列中的行的多个字线中的一个字线连接。

4.根据权利要求3所述的器件,还包括:

将多个字线解码器耦合到多个电源线的一端的多个近端电源线驱动器,其中,用于存储器阵列中的行的每一个近端电源线驱动器能够由字线解码器选择,所述字线解码器被配置为选择该行的字线解码器和相邻的字线解码器。

5.根据权利要求4所述的器件,其中,每一个近端电源线驱动器包含与多个电源线中的一个耦合的P型场效应晶体管(PFET)和与PFET的栅极耦合的一对N型场效应晶体管(NFET),其中,第一NFET与激活由电源线供电的行的字线解码器耦合,并且第二NFET与相邻的字线解码器耦合。

6.根据权利要求4所述的器件,还包括多个远端电源线驱动器,每一个远端电源线驱动器都在与多个近端电源线驱动器与多个电源线的耦合相对的端部与多个电源线中的一个耦合。

7.根据权利要求1所述的器件,还包括多个字线对预解码器,每一个字线对预解码器都与用于选择存储器阵列中的至少一对行的至少一对字线连接并且与和至少一对字线相关的电源线连接。

8.根据权利要求7所述的器件,其中,与和存储器阵列中的奇号行和偶号行对应的至少一对字线相关的电源线能够由与至少一对字线相关的相应字线对预解码器选择,并且偶号电源线能够进一步由相邻的字线对预解码器选择。

9.根据权利要求7所述的器件,还包括耦合多个字线对预解码器中的每一个与和至少一对字线相关的电源线的多个电源线驱动器,其中,每一个字线对预解码器被配置为选择向与至少一对字线相关的电源线提供电力并且向与和至少一对字线相邻的字线相关的电源线提供电力的电源线驱动器。

10.根据权利要求9所述的器件,其中,多个电源线驱动器中的每一个包含与多个电源线中的一个耦合的PFET和与PFET的栅极耦合的至少一个NFET,其中,电源线被选择为响应于PFET被激活而提供全功率电压值,并且未被选择的电源线响应于至少一个NFET被激活而提供半功率电压条件,其中,被激活的至少一个NFET使得PFET的栅极将PFET的漏极短路以将PFET偏置于二极管连接配置。

11.根据权利要求10所述的器件,其中,PFET被配置为响应于用于启用PFET的完全关断的深睡眠信号的发出而撤消提供给电源线的电力。

12.根据权利要求10所述的器件,其中,PFET和至少一个NFET被配置为响应于用于启用电源线的电源门控的电源门控信号的发出而向电源线提供电源门控电压值。

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