[发明专利]半导体芯片封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种半导体芯片封装结构，包括：

芯片，所述芯片上设置有控制电路；

第一电连接件，电性连接所述控制电路；

第二电连接件，通过再分布线路电性连接所述第一电连接件；

其特征在于，所述再分布线路和所述芯片的表面之间还设有第二绝缘层和第一绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层，且所述第一绝缘层的介电常数小于所述第二绝缘层的介电常数。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片封装结构，其特征在于，所述第一绝缘层的材质为无机物，所述第二绝缘层的材质为有机绝缘胶。

3.根据权利要求2所述的半导体芯片封装结构，其特征在于，所述第一绝缘层为气相沉积薄膜层，所述第二绝缘层为环氧树脂层。

4.一种半导体芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一芯片，其包括上表面及与上表面相背的下表面，所述芯片上设置有多个控制电路；

在所述芯片的下表面侧形成多个第一电连接件；

在对应所述第一电连接件的位置处形成由所述芯片的上表面向下表面延伸，穿透所述芯片的多个通孔；

形成覆盖于所述芯片上表面及所述通孔内壁的第一绝缘层，以及形成覆盖于所述第一绝缘层上的第二绝缘层，所述第一绝缘层的介电常数小于所述第二绝缘层的介电常数；

形成分别电性连接相应的第一电连接件的多个第二电连接件。

5.根据权利要求4所述的半导体芯片封装方法，其特征在于，所述第一绝缘层的材质为无机物，所述第二绝缘层的材质为有机绝缘胶。

6.根据权利要求5所述的半导体芯片封装方法，其特征在于，所述第一绝缘层为气相沉积薄膜层，所述第二绝缘层为环氧树脂层。

7.根据权利要求4所述的半导体芯片封装方法，其特征在于，所述“在所述芯片的下表面侧形成第一电连接件”步骤具体包括：

在所述芯片下表面覆盖钝化层；

在所述钝化层内形成多个第一电连接件。

8.根据权利要求7所述的半导体芯片封装方法，其特征在于，所述“形成分别电性连接相应的第一电连接件的多个第二电连接件”步骤，具体包括：

在所述第二绝缘层上形成穿过部分钝化层并电性连接所述多个第一电连接件的再分布线路，以及形成通过所述再分布线路分别于相应的多个第一电连接件电性连接的多个第二电连接件。

9.根据权利要求7或8所述的半导体芯片封装方法，其特征在于，所述“形成覆盖于所述芯片上表面及所述通孔内壁的第一绝缘层，以及形成覆盖于所述第一绝缘层上的第二绝缘层”步骤，具体包括：

形成覆盖于所述芯片上表面、通孔内壁，及部分钝化层的第一绝缘层；

形成覆盖于所述第一绝缘层上的第二绝缘层；

在第二绝缘层上形成与第一电连接件位置相对应的多个第一开口；

在第一绝缘层和钝化层上形成与所述第一开口位置相对应的多个第二开口。