[发明专利]一种集成的微显示OLED图像收发装置及其制作方法有效
申请号: | 201210478053.5 | 申请日: | 2012-11-22 |
公开(公告)号: | CN103022076A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 刘萍 | 申请(专利权)人: | 深圳典邦科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 518057 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成 显示 oled 图像 收发 装置 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及OLED显示技术,尤其涉及一种集成的微显示OLED图像收发装置及其制作方法。
背景技术
有机发光器件(OLED)具有发光亮度高、驱动电压低、响应速度快、无视角限制、低功耗、超轻超薄、可具备任何形状,颜色输出为单色、白色或近红外线、寿命长等优点,在平板显示器、平面光源等领域具有巨大的应用前景。结合硅基CMOS驱动电路,可以整合信号撷取、信号处理、控制等功能。
参照图1所示的例子,光电二极管嵌入在微显示OLED阵列中的图像收发装置。其中,硅基光电二极管7对近红外光敏感,光电二极管阵列进一步形成近红外图像传感器。OLED由光反射阳极8、有机发光层5和透明阴极9组成,OLED阵列形成图像显示装置。OLED发光光谱分布和光电二极管敏感的光谱不重合。图像显示装置通过OLED发射可见光图像,图像传感器通过光电二极管探测近红外图像。在光电二极管旁边设计OLED发光源并交叉隔开,而发光与感光可以并行操作。若OLED发射近红外光,而光电二极管对可见光敏感,情况类似。
图1所示的OLED图像收发装置相比于传统的微显示OLED,最大的优势在于:在同一个CMOS芯片上集成显示和成像功能;外部电光器件减少,HMD尺寸减小;系统更加轻便、便宜;功能更强、性能更高、而功耗更低。可以应用于微型显示器,如HMD头戴显示器、行动装置或微投影装置、HUD抬头显示器、电子观景窗等;也可以用于具备穿透显示与摄录影的双向微显示器如互动式HMD、光学检查等;也可以用于感测器如光学感测器,作为萤光、颜色,流量测定等。
但是,如图1所示的图像收发装置中,发光光源20发出的可见光,一部分成为外输出光10,另一部通过器件内部的反射、散射返回向硅基板方向,其中部分光12被光电二极管探测,硅基光电二极管对可见光也敏感,因此会影响到光电二极管的红外性能。另外,外界环境可见光11也会影响红外光电二极管的性能,从而导致红外图像性能劣化。
若OLED发射红外光,则光电二极管只对可见光波段的光敏感,情况与上述类似。
发明内容
本发明的主要目的就是针对现有技术的不足,提供一种集成的微显示OLED图像收发装置及其制作方法,优化图像传感器图像感测的性能。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种集成的微显示OLED图像收发装置,包括基板、所述基板上的用于感光的光电二极管和所述基板上的用于发光的OLED,所述OLED发光光谱和所述光电二极管敏感的光谱不重合,还包括阻光层,所述OLED的金属互连线阳极和所述阻光层形成在金属间绝缘层上,所述阻光层确定所述OLED的发光区域的边界,所述光电二极管设置于所述OLED的金属互连线阳极旁边,且位于所述阻光层的下方,所述阻光层仅可透过预先设定的由所述光电二极管感应的波段的光。
优选的实施方案如下:
所述阻光层和所述OLED的金属互连线阳极有交叠,所述阻光层边缘覆盖在所述OLED的金属互连线阳极上。
所述OLED用于发射可见光,所述光电二极管用于感应近红外波段的红外光,或者,所述OLED用于发射近红外光,所述光电二极管用于感应可见光波段的光。
所述阻光层是光吸收层或滤光膜或光吸收层与滤光膜的结合,所述滤光膜是长波(红外波段通过)/短波通(可见光波段通)干涉滤光膜或带通型干涉滤光膜,所述干涉滤光膜采用真空镀膜制备,所述光吸收层采用高分子材料膜。阻光层可以采用光刻的方式成形。
所述带通型干涉滤光层是多层介质膜,所述多层介质膜具有由高折射率层和低折射率层交替构成的周期性结构。
一种集成的微显示OLED图像收发装置的制作方法,包括在基板上形成光电二极管和OLED的步骤,还包括在所述光电二极管之上形成阻光层的步骤,所述阻光层仅可透过预先设定的由所述光电二极管感应的波段的光,所述OLED的金属互连线阳极和所述阻光层形成在金属间绝缘层上,所述阻光层确定所述OLED的发光区域的边界。
优选的实施方案如下:
所述阻光层和所述OLED的金属互连线阳极有交叠,所述阻光层边缘覆盖在所述OLED的金属互连线阳极上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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