[发明专利]对硅衬底上的III族氮化物的衬底击穿电压的改进

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供硅衬底；

在所述硅衬底上方外延生长氮化镓(GaN)层；

在所述GaN层上方外延生长施主供应层；

在所述施主供应层上形成栅极；

在所述栅极和所述施主供应层上方沉积钝化膜；

蚀刻所述钝化膜的一部分，以形成到达所述施主供应层的源极开口和漏极开口，所述源极开口和所述漏极开口设置在所述栅极的相对两侧；

在所述开口和所述钝化膜上方沉积欧姆金属层；以及

蚀刻所述欧姆金属层的一部分，以形成源极结构和漏极结构，所述源极结构包括顶部，所述顶部设置在所述源极结构和所述栅极之间的所述钝化膜的至少一部分的上方。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述欧姆金属层包括：

沉积包含钛的第一金属层；以及

在所述第一金属层上方沉积包含铝的第二金属层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，沉积所述欧姆金属层进一步包括：

在所述第二金属层上方沉积第三金属层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第三金属层包括镍、铜、钛或者氮化钛。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：形成用于所述栅极、所述源极结构和所述漏极结构的接触件。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述钝化膜包括：使用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)沉积氮化硅膜、使用低压化学汽相沉积(LPCVD)沉积氮化硅膜、或者使用PECVD沉积氧化硅膜。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钝化膜的厚度至少是300埃。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钝化膜是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、掺碳氧化硅、掺碳氮化硅或者掺碳氮氧化硅。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钝化膜是氧化锌、氧化锆、氧化铪或者氧化钛。

10.一种电路结构，包括：

硅衬底；

非故意掺杂氮化镓(UID GaN)层，位于所述衬底上方；

Al_xGa_(1-x)N(AlGaN)层，位于所述UID GaN层上方，其中，x介于0.1至1之间；

栅极，位于所述AlGaN层上方；

钝化膜，位于所述栅极上方和所述栅极周围的所述AlGaN层上方；

源极结构，包含欧姆金属层，具有至少两层金属层，所述源极结构具有源极接触部和顶部，其中，所述顶部设置在所述源极接触部和所述栅极之间的所述钝化膜的至少一部分上方；以及

漏极结构，包含欧姆金属层，具有至少两层金属层，所述漏极结构设置在所述栅极的相对于所述源极结构的一侧；

其中，所述源极接触部和所述栅极之间的间距小于所述栅极和所述漏极结构之间的间距。