[发明专利]薄膜晶体管矩阵面板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种薄膜晶体管矩阵面板及其制造方法，且是有关于一种具有主动元件的薄膜晶体管矩阵面板及其制造方法。

背景技术

形成薄膜晶体管的氧化薄膜多用电浆制程（如PECVD），然电浆气氛内含有游离离子，此些离子容易进入氧化薄膜内，而导致薄膜晶体管的栅极电压往负值漂移，而降低薄膜晶体管的稳定性。传统上，可使用热处理来解决此一问题，然而，此将衍生热处理的工时及成本。

发明内容

本发明有关于一种薄膜晶体管矩阵面板及其制造方法，可改善残留于薄膜晶体管的离子影响薄膜晶体管的电性品质。

根据本发明的一实施例，提出一种薄膜晶体管矩阵面板。薄膜晶体管矩阵面板包括一基板、一像素阵列及一吸收层。基板具有一上表面。像素阵列形成于基板的上表面上且包括数条数据线、数条扫描线及数个主动元件。这些扫描线与这些数据线定义数个像素区域。各主动元件形成于对应的像素区域内，且包括一通道层。吸收层与通道层形成于同一层结构中，且吸收层的材料与通道层相同。

根据本发明的另一实施例，提出一种薄膜晶体管矩阵面板的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一基板，基板具有一上表面；以及形成一像素阵列于基板的上表面，且包括以下步骤。形成数条数据线于基板上；形成数条扫描线于基板上，其中这些扫描线与这些数据线定义数个像素区域；及同时形成一主动元件的一通道层及一吸收层，使吸收层与通道层形成于同一层结构中，且吸收层的材料与通道层相同。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1A绘示依照本发明一实施例的薄膜晶体管矩阵面板的俯视图；

图1B绘示图1A中局部1B’的放大图；

图1C绘示图1B中方向1C-1C’的剖视图；

图2A绘示依照本发明另一实施例的薄膜晶体管矩阵面板的主动元件的俯视图；

图2B绘示图2A中方向2B-2B’的剖视图；

图3绘示依照本发明另一实施例的薄膜晶体管矩阵面板的主动元件的剖视图；

图4A绘示依照本发明另一实施例的薄膜晶体管矩阵面板的像素阵列的局部俯视图；

图4B绘示图4A中沿方向4B-4B’的剖视图；

图5A绘示依照本发明另一实施例的薄膜晶体管矩阵面板的像素阵列的局部俯视图；

图5B绘示图5A中沿方向5B-5B’的剖视图；

图6绘示依照本发明另一实施例的薄膜晶体管矩阵面板的像素阵列的局部俯视图；

图7A绘示依照本发明另一实施例的薄膜晶体管矩阵面板的像素阵列的局部俯视图；

图7B绘示图7A中沿方向7B-7B’的剖视图；

图8A绘示依照本发明另一实施例的薄膜晶体管矩阵面板的像素阵列的局部俯视图；

图8B绘示图8A中沿方向8B-8B’的剖视图；

图9绘示依照本发明另一实施例的薄膜晶体管矩阵面板的像素阵列的局部俯视图；

图10A绘示依照本发明另一实施例的薄膜晶体管矩阵面板的像素阵列的局部俯视图；

图10B绘示图10A中沿方向10B-10B’的剖视图；

图11A绘示依照本发明另一实施例的薄膜晶体管矩阵面板的像素阵列的局部俯视图；

图11B绘示图11A中沿方向11B-11B’的剖视图；

图12绘示依照本发明另一实施例的薄膜晶体管矩阵面板的像素阵列的局部俯视图；

图13A至13E绘示依照图1B的薄膜晶体管矩阵面板的制造方法过程图；

图14A至14E绘示依照图4A的薄膜晶体管矩阵面板的制造方法过程图；

图15A至15E绘示依照图7A的薄膜晶体管矩阵面板的制造方法过程图；

图16A至16E绘示依照图10A的薄膜晶体管矩阵面板的制造方法过程图。

其中，附图标记：

100：薄膜晶体管矩阵面板

110：基板

110u：上表面

120、220、320、420：像素阵列

121：数据线

122：扫描线

123：主动元件

123d：漏极

123g：栅极

123p：通道层

123s：源极

1231：第一绝缘层

1231a、1231a1、1231a2：第一开孔

1232：第二绝缘层