[发明专利]薄膜晶体管矩阵面板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管矩阵面板，其特征在于，包括：

一基板，具有一上表面；

一像素阵列，形成于该基板的该上表面上，且包括：

多条数据线；

多条扫描线，与所述数据线定义多个像素区域；

多个主动元件，各该主动元件形成于对应的该像素区域内且包括一通道层；以及

一吸收层，与该通道层形成于同一层结构中，且该吸收层的材料与该通道层相同。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管矩阵面板，其特征在于，各该主动元件包括一源极及一漏极，该吸收层的至少一部分重叠于所述源极、所述漏极、所述数据线及所述扫描线的至少一者。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管矩阵面板，其特征在于，各该主动元件还包括一源极及一漏极，该通道层连接于该源极与该漏极，该吸收层包括一第一部分及一第二部分，该吸收层的该第一部分、该源极、该漏极及该通道层形成于该基板的该上表面上，而该吸收层的该第二部分覆盖所述数据线、该源极与该漏极中至少一者。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管矩阵面板，其特征在于，该像素阵列还包括一第一绝缘层覆盖该源极、该漏极、该通道层及该吸收层，且具有一第一开孔露出该吸收层的该第二部分；各该主动元件还包括：

一栅极，形成于该第一绝缘层上，该栅极的区域对应该通道层；

一电连接部，经由该第一开孔接触该吸收层的该第二部分；以及

一第二绝缘层，覆盖该栅极与该电连接部并具有一第二开孔露出该电连接部；

该像素阵列还包括：

多个像素电极，形成于该第二绝缘层上，各该像素电极经由对应的该第二绝缘层的该第二开孔电性连接对应的该电连接部。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管矩阵面板，其特征在于，整个该吸收层及该通道层形成于该基板的该上表面上。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管矩阵面板，其特征在于，各该主动元件包括一栅极、一源极、一漏极及一绝缘层，该栅极形成于该基板的该上表面上，该绝缘层覆盖该栅极，该源极、该漏极、该通道层、该吸收层形成于该绝缘层上，该吸收层的一部分覆盖该源极及该漏极。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管矩阵面板，其特征在于，该像素阵列还包括多个像素电极，各该像素电极接触该吸收层。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管矩阵面板，其特征在于，各该主动元件包括一栅极、一源极及一漏极，该栅极覆盖于该基板的该上表面上，该像素阵列还包括一绝缘层覆盖该栅极，该源极、该漏极、该通道层、该吸收层形成于该绝缘层上，该源极及该漏极覆盖该吸收层的一部分。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管矩阵面板，其特征在于，该像素阵列还包括多个像素电极，该吸收层包括彼此分离的一第一部分与一第二部分，该第一部分的区域对应该像素电极，而该第二部分电性连接于该主动元件的一漏极。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管矩阵面板，其特征在于，各该像素阵列还包括多个像素电极，该吸收层包括彼此连接的一第一部分与一第二部分，该第一部分的区域对应该像素电极，而该第二部分电性连接于该主动元件的一漏极。

11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管矩阵面板，其特征在于，该吸收层油铟、铝、镓、锡、铪或其组合掺杂于氧化锌而形成。

12.一种薄膜晶体管矩阵面板的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板，该基板具有一上表面；以及

形成一像素阵列于该基板的该上表面，且包括：

形成多条数据线于该基板上；

形成多条扫描线于该基板上，其中所述扫描线与所述数据线定义多个像素区域；及

同时形成一主动元件的一通道层及一吸收层，使该吸收层与该通道层形成于同一层结构中，且该吸收层的材料与该通道层相同。

13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，于形成所述数据线于该基板包括：

形成该主动元件的一漏极及一源极于该基板的该上表面上；

于同时形成该主动元件的该通道层及该吸收层的该步骤中，该通道层及该吸收层的一第一部分形成于该基板的该上表面，而该吸收层的一第二部分覆盖所述数据线、该源极与该漏极中至少一者。