[发明专利]发声芯片

说明书

技术领域

本发明涉及一种发声芯片，尤其涉及一种热致发声芯片。

背景技术

扬声器一般由信号输入装置和发声元件组成,通过信号输入装置输入信号到该发声元件，进而发出声音。热致扬声器为一种基于热声效应的扬声器，该扬声器通过向一导体中通入交流电来实现发声。该导体具有较小的热容(Heat capacity)，较薄的厚度，且可将其内部产生的热量迅速传导给周围气体介质的特点。当交流电通过导体时，随交流电电流强度的变化，导体迅速升降温，而和周围气体介质迅速发生热交换，促使周围气体介质分子运动，气体介质密度随之发生变化，进而发出声波。

2008年10月29日，范守善等人公开了一种应用热声效应的碳纳米管扬声器，请参见文献“Flexible,Stretchable,Transparent Carbon Nanotube Thin Film Loudspeakers”，ShouShan Fan,et al.,Nano Letters,Vol.8(12),4539-4545(2008)。该扬声器采用碳纳米管膜作为一热致发声元件，由于碳纳米管膜具有极大的比表面积及极小的单位面积热容(小于2×10^-4焦耳每平方厘米开尔文)，该热致发声元件可发出人耳能够听到强度的声音，且具有较宽的发声频率范围(100Hz～100kHz)。该扬声器结构简单，成本低廉，在电子器件中具有广泛的应用前景。

然而，由于该扬声器的热致发声元件采用碳纳米管膜，所以使用时该碳纳米管膜很容易被外力破坏，从而影响该扬声器的使用寿命。

发明内容

有鉴于此，确有必要提供一种既可以保护该扬声器的碳纳米管膜不被破坏，并且使用方便的发声芯片。

一种发声芯片，其包括：一扬声器，该扬声器包括：一基底，其具有一第一表面；一热致发声元件设置于所述基底的第一表面；以及一第一电极和一第二电极间隔设置，且该第一电极和第二电极分别与所述热致发声元件电连接；其中，进一步包括一封装壳体，该封装壳体具有一内腔将该扬声器收容于该封装壳体内，该封装壳体具有至少一开孔，所述扬声器的热致发声元件正对该至少一开口设置，该封装壳体具有至少两个贯穿的外接引脚分别与该第一电极和第二电极电连接。

一种发声芯片，其包括：一封装壳体，该封装壳体具有一内腔及至少一开孔；至少一热致发声元件，该至少一热致发声元件设置于所述封装壳体的内腔中，且该至少一热致发声元件正对所述封装壳体的至少一开孔设置；以及一第一电极和一第二电极分别与所述至少一热致发声元件电连接；其中，该封装壳体进一步包括至少两个贯穿的外接引脚分别与该第一电极和第二电极电连接。

与现有技术相比较，所述发声芯片通过封装壳体将所述扬声器收容于该封装壳体内，可以很好的保护该扬声器的热致发声元件不被外力破坏。

附图说明

图1为本发明第一实施例提供的发声芯片的结构示意图。

图2为本发明第一实施例的发声芯片采用的碳纳米管膜的扫描电镜照片。

图3为本发明第一实施例的发声芯片采用的非扭转的碳纳米管线的扫描电镜照片。

图4为本发明第一实施例的发声芯片采用的扭转的碳纳米管线的扫描电镜照片。

图5为本发明第二实施例提供的发声芯片的结构示意图。

图6为本发明第三实施例提供的发声芯片的结构示意图。

图7为本发明第四实施例提供的发声芯片的结构示意图。

图8为本发明第五实施例提供的发声芯片的结构示意图。

图9为本发明第六实施例提供的发声芯片的结构示意图。

图10为本发明第七实施例提供的发声芯片的结构示意图。

图11为本发明第八实施例提供的发声芯片的结构示意图。

图12为本发明第九实施例提供的发声芯片的结构示意图。

图13为本发明第十实施例提供的发声芯片的结构示意图。

图14为本发明第十实施例的发声芯片的扬声器的俯视图。

图15为本发明第十实施例的发声芯片的扬声器的光学显微镜照片。

图16为本发明第十实施例提供的经有机溶剂处理后的碳纳米管线的扫描电镜照片。

图17为本发明第十实施例提供的发声芯片的发声效果图。

图18为本发明第十实施例提供的发声芯片的声压级-频率的曲线图。

主要元件符号说明

发声芯片 10A，10B，10C，20A，20B，20C，30A，30B，40A，40B