[发明专利]发声芯片有效
申请号: | 201210471054.7 | 申请日: | 2012-11-20 |
公开(公告)号: | CN103841501B | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 魏洋;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H04R23/00 | 分类号: | H04R23/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发声 芯片 | ||
1.一种发声芯片,其包括:
一扬声器,该扬声器包括:
一基底,其具有一第一表面;
一热致发声元件设置于所述基底的第一表面;以及
一第一电极和一第二电极间隔设置,且该第一电极和第二电极分别与所述热致发声元件电连接;以及
一封装壳体,该封装壳体具有一内腔将该扬声器收容于该封装壳体内,该封装壳体具有至少一开孔,所述扬声器的热致发声元件正对该至少一开口设置,该封装壳体具有至少两个贯穿的外接引脚分别与该第一电极和第二电极电连接;
其特征在于,所述基底为一硅基片,所述基底的第一表面具有多个凹凸结构,所述凹凸结构定义多个交替设置的凸部与凹部,所述热致发声元件部分设置于该凸部顶面上,部分则通过该凹部悬空设置,所述凹部的深度为100微米至200微米;所述热致发声元件包括多个平行且间隔设置的碳纳米管线,所述碳纳米管线的延伸方向与所述凹部的延伸方向交叉形成一定角度,且碳纳米管线中碳纳米管的延伸方向平行于所述碳纳米管线的延伸方向,从而使所述碳纳米管线对应凹部位置部分悬空设置;该多个碳纳米管线的制备方法为:先将一碳纳米管膜铺设于所述第一电极和第二电极上,然后用激光切割该碳纳米管膜形成多个平行间隔设置的碳纳米管带,再使用有机溶剂处理该多个碳纳米管带,从而使每个碳纳米管带收缩得到该多个碳纳米管线。
2.如权利要求1所述的发声芯片,其特征在于,所述封装壳体包括一基板以及一保护罩,所述扬声器设置于该基板的一表面,且所述保护罩将该扬声器罩住。
3.如权利要求2所述的发声芯片,其特征在于,所述保护罩具有一环形侧壁以及一与该环形侧壁连接的底壁,且该底壁具有多个开孔。
4.如权利要求2所述的发声芯片,其特征在于,进一步包括多个扬声器以及多个保护罩,该多个扬声器设置于该基板的表面,且每个扬声器被一个保护罩罩住。
5.如权利要求1所述的发声芯片,其特征在于,所述封装壳体包括一具有凹部的基板以及一保护网,所述扬声器设置于该基板的凹部内,所述保护网将该凹部覆盖,且所述保护网具有多个开孔。
6.如权利要求5所述的发声芯片,其特征在于,所述保护网为一金属网或纤维网。
7.如权利要求5所述的发声芯片,其特征在于,进一步包括多个扬声器,该基板具有多个凹部,每个扬声器设置于一个凹部内,且该多个凹部被所述保护网覆盖。
8.如权利要求2或5所述的发声芯片,其特征在于,所述基板为一玻璃板、陶瓷板、PCB板、聚合物板或木板。
9.如权利要求1所述的发声芯片,其特征在于,所述基底的第一表面具有一绝缘层,所述热致发声元件部分设置于该凸部顶面的绝缘层上。
10.如权利要求9所述的发声芯片,其特征在于,所述基底的面积为25平方毫米至100平方毫米。
11.如权利要求9所述的发声芯片,其特征在于,所述凹部的宽度为0.2毫米~1毫米。
12.如权利要求9所述的发声芯片,其特征在于,所述凹部为多个相互平行且均匀间隔分布的凹槽,每相邻两个凹槽之间的槽间距为20微米~200微米,相邻的凹槽之间为凸部。
13.如权利要求12所述的发声芯片,其特征在于,所述第一电极和第二电极的延伸方向平行于所述凹槽的延伸方向,所述热致发声元件中的碳纳米管的延伸方向垂直于与凹槽的延伸方向。
14.如权利要求9所述的发声芯片,其特征在于,所述扬声器包括多个第一电极和多个第二电极,该多个第一电极与多个第二电极交替设置在凸部的顶面,多个第一电极电连接,多个第二电极电连接。
15.如权利要求1所述的发声芯片,其特征在于,进一步包括一集成电路芯片设置于该封装壳体内,所述封装壳体具有四个引脚,分别向该集成电路芯片提供驱动电压及输入音频电信号。
16.如权利要求15所述的发声芯片,其特征在于,所述集成电路芯片包括音频电信号的功率放大电路和直流偏置电路。
17.如权利要求15所述的发声芯片,其特征在于,所述扬声器的基底具有一凹部,且所述集成电路芯片设置于该凹部内。
18.如权利要求15所述的发声芯片,其特征在于,所述扬声器的基底为一硅基片,且所述集成电路芯片通过微电子工艺直接制备在该硅基片上与该硅基片形成一体结构。
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