[发明专利]微波低波段高选择性空腔介质滤波器及其制造方法

权利要求书

1.一种微波低波段高选择性空腔介质滤波器的制造方法，其特征在于，包括：

根据指标要求设计圆柱形的圆波导介质尺寸，所述圆波导介质的纵向上开设有纵向贯通的频率调节孔；

在真空环境对所述圆波导介质加热，对所述圆波导介质进行金属层溅射处理后生成圆波导，由所述圆波导组成空腔介质滤波器。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

制成相应的封装外壳，将所述空腔介质滤波器装入所述封装外壳，在所述封装外壳的相应位置引出输入输出接头。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述空腔介质滤波器包括多个圆波导，所述圆波导为TM₀₁₀模式，所述圆波导紧邻设置在同一平面内，所述圆波导在相邻曲面形成磁场耦合，在相邻圆波导的连接处位置设有纵向贯通的腔间耦合调节孔和横向贯通的腔间耦合窗口。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述空腔介质滤波器包括多个圆波导，所述圆波导为TE₁₁₁模式，所述圆波导紧邻设置在同一平面内，所述圆波导在相邻曲面形成电场耦合窗口。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述空腔介质滤波器包括多个圆波导，所述圆波导为TM₀₁₀模式，所述圆波导纵向叠放成一体，所述圆波导在相邻平面形成电场耦合，在相邻圆波导横向外表面印制有腔间电场耦合窗口。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述空腔介质滤波器包括多个圆波导，所述圆波导为TE₁₁₁模式，所述圆波导纵向叠放成一体，所述圆波导在相邻平面形成磁场耦合，在相邻圆波导横向外表面印制有腔间磁场耦合窗口。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述对圆波导介质进行金属层溅射处理的过程包括：先对所述圆波导介质外表面进行磁控溅射处理生成种子层，再对所述种子层进行光刻处理，通过电镀工艺进行加厚。

8.一种微波低波段高选择性空腔介质滤波器的制造方法，其特征在于，包括：

根据指标要求设计矩形波导介质尺寸，在与所述矩形波导介质的电场方向相垂直的表面开设有在电场方向贯通的频率调节孔；

在真空环境对所述矩形波导介质加热，对所述矩形波导介质进行金属层溅射处理后生成矩形波导，由矩形波导组成空腔介质滤波器。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：

制成相应的封装外壳，将所述空腔介质滤波器装入所述封装外壳，在所述封装外壳的相应位置引出输入输出接头。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述对矩形波导介质进行金属层溅射处理的过程包括：先对所述矩形波导介质外表面进行磁控溅射处理生成种子层，再对所述种子层进行光刻处理，通过电镀工艺进行加厚。

11.一种微波低波段高选择性空腔介质滤波器，其特征在于，包括：至少一个圆柱形的圆波导，所述圆波导的纵向上开设有纵向贯通的频率调节孔，所述圆波导由在真空环境对圆柱形的圆波导介质加热，并对所述圆波导介质进行金属层溅射处理后生成。

12.根据权利要求11所述的滤波器，其特征在于，所述圆波导为多个，所述圆波导为TM₀₁₀模式，所述圆波导紧邻设置在同一平面内，所述圆波导在相邻曲面形成磁场耦合，在相邻圆波导的连接处位置设有纵向贯通的腔间耦合调节孔和横向贯通的腔间耦合窗口。

13.根据权利要求11所述的滤波器，其特征在于，所述圆波导为多个，所述圆波导为TE₁₁₁模式，所述圆波导紧邻设置在同一平面内，所述圆波导在相邻曲面形成电场耦合窗口。

14.根据权利要求11所述的滤波器，其特征在于，所述圆波导为多个，所述圆波导为TM₀₁₀模式，所述圆波导纵向叠放成一体，所述圆波导在相邻平面形成电场耦合，在相邻圆波导横向外表面印制有腔间电场耦合窗口。

15.根据权利要求11所述的滤波器，其特征在于，所述圆波导为多个，所述圆波导为TE₁₁₁模式，所述圆波导纵向叠放成一体，所述圆波导在相邻平面形成磁场耦合，在相邻圆波导横向外表面印制有腔间磁场耦合窗口。