[发明专利]晶体管、晶体管的制造方法、显示装置和电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及适合于有机半导体材料用于半导体层的应用的晶体管、晶体管的制造方法、显示装置和电子设备。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)用作大量电子设备(例如显示单元)中作为驱动装置。在TFT中，栅电极、栅极绝缘层、半导体层和源-漏电极设置在衬底上。对于这种TFT的半导体层，使用无机材料或有机材料。在成本、柔性等方面对由有机材料形成的半导体层(有机半导体层)有期待，并且已经进行了发展(例如，见APPLIED PHYSICS LETTERS，2005，87，193508和APPLIED PHYSICS LETTERS，2009，94，055304)。

发明内容

期望能通过减小制造缺陷来更有效率地制造使用有机半导体层的TFT。

期望提供能够以高产量制造的晶体管、制造晶体管的方法以及都具有这种晶体管的显示单元和电子设备。

根据本发明的实施例，提供一种晶体管，包括：栅电极；半导体层，其在绝缘层置于半导体层与栅电极之间的状态下，面向栅电极；在半导体层上的蚀刻停止层；一对接触层，其至少在蚀刻停止层的两侧上设置在半导体层上；以及源-漏电极，其通过一对接触层电连接到半导体层，并且与绝缘层相接触。

根据本发明的实施例，提供了一种具有像素和驱动像素的至少一个晶体管的显示单元。至少一个晶体管包括：栅电极；半导体层，其在绝缘层置于半导体层与栅电极之间的状态下，面向栅电极；在半导体层上的蚀刻 停止层；一对接触层，其至少在蚀刻停止层的两侧上设置在半导体层上；以及源-漏电极，其通过一对接触层电连接到半导体层，并且与绝缘层相接触。

根据本发明的实施例，提供了一种具有显示单元的电子设备，显示单元设置有像素和驱动像素的至少一个晶体管的显示单元。至少一个晶体管包括：栅电极；半导体层，其在绝缘层置于半导体层与栅电极之间的状态下，面向栅电极；在半导体层上的蚀刻停止层；一对接触层，其至少在蚀刻停止层的两侧上设置在半导体层上；以及源-漏电极，其通过一对接触层电连接到半导体层，并且与绝缘层相接触。

根据本发明的实施例，提供了一种制造晶体管的方法，方法包括：形成栅电极；在绝缘层置于半导体层与栅电极之间的状态下，形成面向栅电极的半导体层；在半导体层上形成蚀刻停止层；至少在蚀刻停止层的两侧上在半导体层上形成一对接触层；以及在从一对接触层到绝缘层的区域、在绝缘层上以及在接触层上形成源-漏电极。

在根据本发明的上述实施例的晶体管仲，接触层设置在半导体层上。因此，接触层不存在于半导体层周围的区域中，并且绝缘层和源-漏电机在该区域中彼此直接接触。

根据本发明的上述实施例的晶体管、制造晶体管的方法、显示单元和电子设备，接触层设置在半导体层上，并且源-漏电机直接与绝缘层接触。因此，允许防止由于在半导体层附近的区域中的接触层引起的层剥离。因此，可以实现抑制制造缺陷和高制造产量。

应当理解，前文的一般描述和下文的详细描述都是示例性的，旨在对要求保护的技术进行进一步说明。

附图说明

附图用来提供对公开内容的进一步理解，并且并入说明书中并组成说明书的一部分。附图示出实施例，并与说明书一起用来解释本发明的原理。

图1示出了根据本发明的实施例的晶体管的构造。

图2A和图2B是示出以处理顺序制造图1中所示的晶体管的方法的截面图。

图3A和3B是示出在图2B之后的处理的截面图。

图4是示出了在图3B之后的处理的示例的截面图。

图5是示出了根据修改形式1的晶体管的构造的截面图。

图6是示出了根据修改形式2的晶体管的构造的截面图。

图7示出了根据修改形式的晶体管的构造。

图8A和图8B是示出以处理顺序制造图7中所示的晶体管的方法的截面图。

图9A和图9B是是出了在图8B之后的处理的截面图。

图10是示出根据应用示例1的显示单元的电路构造的示图。

图11是示出图10中所示的像素驱动电路的示例的等效电路示意图。

图12A和图12B是示出了应用示例2的外观的立体图。

图13是示出了应用示例3的外观的立体图。

图14A和图14B是示出了应用示例4的外观的立体图，即，图14A示出了再从前方观察时的外观，并且图14B示出了在从后方观察时的外观。

图15是示出了应用示例5的外观的立体图。

图16是示出了应用示例6的外观的立体图。