[发明专利]晶体管、晶体管的制造方法、显示装置和电子设备

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

栅电极；

半导体层，其在绝缘层置于所述半导体层与所述栅电极之间的状态下，面向所述栅电极；

在所述半导体层上的蚀刻停止层；

一对接触层，其至少在所述蚀刻停止层的两侧上设置在所述半导体层上；以及

源-漏电极，其通过一对所述接触层电连接到所述半导体层，并且与所述绝缘层相接触，

其中，所述一对接触层包括位于所述蚀刻停止层的上表面上的部分和位于所述半导体层的上表面上的部分，并且因此处于不连续状态。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中

一对所述接触层具有彼此面对的各自的表面以及与所述各自的表面相反的各自的端面，以及

所述源-漏电极覆盖各个所述接触层的所述端面。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其中，各个所述接触层的位于所述半导体层上的所述端面的位置与所述半导体层的端面的位置一致。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其中，一对所述接触层也设置在所述蚀刻停止层的顶表面上。

5.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述绝缘层具有在所述源-漏电极与设置在所述绝缘层下方的电极之间建立连接的连接孔。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述半导体层包括有机半导体材料。

7.一种制造晶体管的方法，所述方法包括：

形成栅电极；

在绝缘层置于半导体层与所述栅电极之间的状态下，形成面向所述栅电极的所述半导体层；

在所述半导体层上形成蚀刻停止层；

至少在所述蚀刻停止层的两侧上在所述半导体层上形成一对接触层；以及

在一对所述接触层到所述绝缘层的区域、在所述绝缘层上以及在所述接触层上形成源-漏电极，

其中，所述一对接触层包括位于所述蚀刻停止层的上表面上的部分和位于所述半导体层的上表面上的部分，并且因此处于不连续状态。

8.根据权利要求7所述的制造晶体管的方法，其中，所述半导体层和所述接触层通过图案化一同形成。

9.根据权利要求8所述的制造晶体管的方法，其中，所述图案化是由激光烧蚀执行的。

10.一种具有像素和驱动所述像素的至少一个晶体管的显示单元，所述至少一个晶体管包括：

栅电极；

半导体层，其在绝缘层置于所述半导体层与所述栅电极之间的状态下，面向所述栅电极；

在所述半导体层上的蚀刻停止层；

一对接触层，其至少在所述蚀刻停止层的两侧上设置在所述半导体层上；以及

源-漏电极，其通过一对所述接触层电连接到所述半导体层，并且与所述绝缘层相接触，

其中，所述一对接触层包括位于所述蚀刻停止层的上表面上的部分和位于所述半导体层的上表面上的部分，并且因此处于不连续状态。

11.一种具有显示单元的电子设备，所述显示单元设置有像素和驱动所述像素的至少一个晶体管的显示单元，所述至少一个晶体管包括：

栅电极；

半导体层，其在绝缘层置于所述半导体层与所述栅电极之间的状态下，面向所述栅电极；

在所述半导体层上的蚀刻停止层；

一对接触层，其至少在所述蚀刻停止层的两侧上设置在所述半导体层上；以及

源-漏电极，其通过一对所述接触层电连接到所述半导体层，并且与所述绝缘层相接触，

其中，所述一对接触层包括位于所述蚀刻停止层的上表面上的部分和位于所述半导体层的上表面上的部分，并且因此处于不连续状态。