[发明专利]一种四探针测试仪的校准方法

说明书

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，特别是涉及一种四探针测试仪的校准方法。

背景技术

在光伏组件产品中，一个核心材料就是光伏电池片，形成P-N节时测量的方块电阻值，是电池环节中的一个重要参数。

方块电阻是硅片上方正方形薄膜两端之间的电阻，目前光伏电池片生产中，对扩散工艺扩散后硅片的方阻的要求日趋严格，其准确性直接左右着成品电池效率的高低与工艺改进的方向，也直接影响电池技术的革新方向。

扩散，是光伏电池片生产中的一个重要工序，主要利用杂质原子在高温固体中具有的扩散能力，令其在一定条件下自半导体表面向其内部扩散，以改变其表面以下一定厚度层内的杂质分布及导电类型。

扩散过程能够使P型硅片的表面扩散进一薄层磷，以形成较浅的P-N结，可以使得太阳光大部分在电池表面很薄的一层内被吸收。

通常采用四探针测试仪对扩散后硅片的方阻进行检测，检测前使用标准模块对四探针测试仪进行校准，四探针测试仪检测标准模块，得到标准模块电阻的检测值，若检测值与电阻值不一致，则用四探针测试仪自身的校准程序进行校准，然后测量硅片的方阻。

在实际的测量过程中，用上述校准方法校准后的四探针测试仪检测扩散后硅片的方阻，存在较大的误差。

有鉴于此，亟待针对上述技术问题，设计一种四探针测试仪的校准方法，减小校准后四探针测试仪的检测误差，提高四探针测试仪检测的准确性。

发明内容

本发明的目的是提供一种四探针测试仪的校准方法，该校准方法能够减小四探针测试仪的检测误差，提高检测的准确性。

为了实现上述技术目的，本发明提供了一种四探针测试仪的校准方法，包括以下步骤：

1）用标准模块对四探针测试仪进行校准；

2）用硅片标准片对四探针测试仪进行校准。

优选地，步骤1）中具体包括以下步骤：

11）四探针测试仪检测标准模块，测得标准模块的检测电阻值；

12）比较标准模块的检测电阻值与标准模块的电阻值是否一致；

13）若不一致，用四探针测试仪自身的校准程序进行校准。

优选地，步骤2）中具体包括以下步骤：

21）四探针测试仪检测硅片标准片，测得硅片标准片的检测电阻值；

22）比较硅片标准片的检测电阻值与硅片标准片的电阻值是否一致；

23）若不一致，调整四探针测试仪的探头，使硅片标准片的检测电阻值等于硅片标准片的电阻值。

优选地，还包括步骤3）用若干硅片标准片对校准后的四探针测试仪进行校准。

优选地，步骤3）中具体包括以下步骤：

31）用标准设备标定若干硅片的电阻值，做为硅片标准片；用四探针测试仪检测若干硅片标准片，测得硅片标准片的检测电阻值；

32）比较硅片标准片的检测电阻值与硅片标准片的标定电阻值是否一致；

33）若不一致，调整四探针测试仪的探头，使硅片标准片的检测电阻值等于硅片标准片的标定电阻值。

优选地，所述硅片标准片至少为两件。

本发明所提供的四探针测试仪的校准方法，首先，用四探针测试仪检测标准模块，如果标准模块的检测电阻值与其电阻值不一致，则运行四探针测试仪自身的校准程序，进行第一次校准；然后，用四探针测试仪检测硅片标准片，此硅片标准片为经过扩散后方阻确定的硅片标准片，如果硅片标准片的检测电阻值与其电阻值不一致，则调节四探针测试仪的探针，进行第二次校准。

先通过标准模块用四探针测试仪自身的校准程序进行校准，相当于对仪器自身的程序初步调零；然后再通过扩散后的硅片标准片进行校准，相当于对四探针测试仪的探针进行精调，使其测得的硅片标准片方阻的测试值接近于硅片标准片的方阻值。经过第二次校准后，四探针测试仪检测硅片方阻时测得的方阻值更接近与准确值，减小了四探针测试仪的检测误差，提高了四探针测试仪检测的准确性。

附图说明

图1为本发明所提供的四探针测试仪的校准方法第一种具体实施方式的流程图；

图2为本发明所提供的四探针测试仪的校准方法第二种具体实施方式的流程图；

图3为本发明所提供的四探针测试仪的校准方法第三种具体实施方式的流程图；

图4为本发明所提供的四探针测试仪的校准方法第四种具体实施方式的流程图。

具体实施方式

本发明的核心是提供一种四探针测试仪的校准方法，该校准方法能够减小四探针测试仪的检测误差，提高检测的准确性。