[发明专利]静电放电保护电路

权利要求书

1.一静电放电保护电路与一输入垫连结，其中该静电放电保护电路包含：

一具有第一导电型的基板；

一位于该基板中并具有第二导电型的第一井；

一位于该第一井中并具有第一导电型的第二井；

一位于该第二井中并具有第一导电型的第一掺杂区，该第一掺杂区与该输入垫电耦接；

一位于该第二井中并具有第二导电型的第二掺杂区；

一位于该第一井中并具有第二导电型的第三掺杂区，该第三掺杂区与该输入垫电耦接；以及

一位于该基板中并具有第一导电型的第四掺杂区。

2.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护电路，其中静电放电电流是藉由该第四掺杂区与该输入垫间的通道进行放电。

3.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护电路，其中在该第一井中所形成的电位较该第二井中为高。

4.如申请专利范围第2项所述之静电放电保护电路，进一步包含一第一二极管，其中该第一掺杂区为该二极管的第一端且该第二掺杂区为该二极管的第二端。

5.如申请专利范围第4项所述之静电放电保护电路，其中该静电放电电流的放电过程依序自该输入垫至该第一掺杂区，接着自该第一掺杂区至该第二掺杂区，再自第二掺杂区至接地。

6.如申请专利范围第2项所述之静电放电保护电路，其中静电放电电流的放电过程依序自该第四掺杂区至该基板，接着自该基板至该第一井，再自该第一井至该第三掺杂区。

7.如申请专利范围第4项所述之静电放电保护电路，进一步包含一第二二极管，其中该第四掺杂区为该第二二极管的第一端且该第三掺杂区为该第二二极管的第二端，静电放电电流是自该第一端放电至该第二端。

8.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护电路，进一步包含：

一位于基板中并为第一导电型的第三井；

一位于第三井中并为第二导电型的第五掺杂区；

一位于第三井中并为第二导电型的第六掺杂区；

一位于该第五掺杂区与第六掺杂区之间的闸极；

一位于基板中并为第二导电型的第四井，该第四井介于该第二掺杂区与第四掺杂区间；

一位于第四井中且为第二导电型的第七掺杂区；以及

一第一导电型的第八掺杂区，其中该第五掺杂区电耦接该第二掺杂区且该第六掺杂区电连接该第四掺杂区，且该第八掺杂区位于该第二掺杂区与第四掺杂区之间。

9.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护电路，进一步包含一介于输入垫与第一掺杂区间的阻抗。

10.一静电放电保护电路与一输入垫连结，其中该静电放电保护电路包含：

一具有第一导电型的基板；

一位于该基板中并具有第二导电型的第一井；

一位于该第一井中的二极管组件，该二极管组件包含一具有第一导电型的第一端与一具有第二导电型的第二端，其中该第一端电耦接于该输入垫；

一具有第二导电型且位于该第一井中的第一掺杂区，该第一掺杂区电耦接于该输入垫；以及

一具有第一导电型且位于该基板中的第二掺杂区，该第二掺杂区电耦接于接地。

11.如申请专利范围第10项所述之静电放电保护电路，

其中在输入垫与第二掺杂区间有一通道供静电放电电流放电。

12.如申请专利范围第10项所述之静电放电保护电路，其中在该第一井中所形成的电位较该第二井中为高。

13.如申请专利范围第11项所述之静电放电保护电路，其中该静电放电电流的放电通道依序自该输入垫至该二极管组件，接着自该二极管组件至接地。

14.如申请专利范围第11项所述之静电放电保护电路，其中该静电放电电流的放电通道依序自该第二掺杂区至至该基板，接着自该基板至该第一井，再自该第一井至该第一掺杂区，再自该第一掺杂区至该输入垫。

15.如申请专利范围第14项所述之静电放电保护电路，其中该信道包含一第二二极管。