[发明专利]半导体器件及其操作方法

说明书

提供了一种半导体存储器件及其操作方法。所述半导体存储器件包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；以及外围电路，针对所述多个存储器单元之中的与一个字线连接且被相继布置的第一存储器单元、第二存储器单元、第三存储器单元和第四存储器单元进行编程；其中，所述外围电路被配置成在第一时间间隔中对所述第一存储器单元和所述第四存储器单元进行编程，且在第二时间间隔中对所述第二存储器单元和所述第三存储器单元进行编程。提供了具有提高的性能的半导体存储器件及其操作方法。

相关申请的交叉引用

本申请要求2012年5月29日提交的申请号为10-2012-0056776的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

多个实施例涉及一种半导体器件及其操作方法。

背景技术

即使没有供给电源也可以保持写入在存储器单元中的数据而不是使数据消失的半导体存储器件，具体来说，闪存存储器件越来越多地持续被用作数据存储介质。然而，由于存在编程完成单元的阈值电压分布会因为在编程操作期间出现的多种因素而出现变化的趋势，所以闪存储器件容易出现故障。

图1是示出在编程操作期间出现的位线之间的干扰的视图。在图1中，示出了一般的闪存存储器件的存储器单元阵列100的一部分。

参见图1，分别示出了第一至第六存储器单元MC0~MC5。第一至第三存储器单元MC0~MC2分别连接到字线WLn，第四至第六存储器单元MC3~MC5分别连接到字线WLn+1。连接到同一字线的存储器单元构成至少一个页。例如，当每个存储器单元是单级单元时，连接至字线WLn的第一至第三存储器单元MC0~MC2和连接至字线WLn+1的第四至第六存储器单元MC3~MC5分别构成单个页。

单个页包括偶数页和奇数页。偶数页包括连接到偶数位线BLe的单元。奇数页包括连接到奇数位线BLo的单元。对连接到偶数位线BLe的单元进行编程被称作偶数页编程，对连接到奇数位线BLo的单元进行编程被称作奇数页编程。在对连接到同一字线的偶数页MC1和奇数页MC0、MC2进行编程时，例如，顺序执行编程使得在字线WLn，偶数页MC1被编程，随后奇数页MC0和MC2被编程，所以第一个编程的页受到在下一页上执行的编程操作的干扰。结果，其上先完成编程的页（即偶数页MC1）上的阈值电压发生变化。阈值电压中的变化可以造成相邻阈值电压分布的重叠。随着相邻单元之间的间隔根据闪存器件的单元尺寸减少而变窄，这种现象出现的越来越多。因而，需要一种方法，其能防止由于闪存器件的编程操作期间在位线之间的干扰造成的阈值电压分布特性的恶化。

发明内容

各种实施例涉及一种半导体存储器件，其具有改进的性能特性和操作方法。

根据一个实施例的半导体存储器件包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；以及外围电路，被配置成针对所述多个存储器单元之中的与字线连接且被相继布置的第一存储器单元、第二存储器单元、第三存储器单元和第四存储器单元进行编程；其中，所述外围电路被配置成在第一时间间隔中对所述第一存储器单元和所述第四存储器单元进行编程，且在第二时间间隔中对所述第二存储器单元和所述第三存储器单元进行编程。

根据一个实施例的一种半导体存储器件的操作方法，所述半导体存储器件具有连接到字线且被相继布置的第一存储器单元、第二存储器单元、第三存储器单元和第四存储器单元，所述方法包括：第一编程操作：对所述第一存储器单元和所述第四存储器单元进行编程；以及第二编程操作：对所述第二存储器单元和所述第三存储器单元进行编程。

根据一个实施例的一种半导体存储器件，包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；以及多个页缓冲器，被配置成在所述多个存储器单元上执行编程操作；其中，所述多个页缓冲器中的每个经由位线对而连接到所述多个存储器单元之中的相应的存储器单元；以及连接到两个彼此相邻的页缓冲器的位线对之中的相邻位线在同一编程操作期间被选中。

附图说明