[发明专利]半导体器件及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

存储器单元阵列，包括多个存储器单元；

页缓冲器单元，被配置成包括多个页缓冲器，所述多个页缓冲器分别经由多个位线之中的一个第一类型的位线和多个位线之中的一个第二类型的位线耦接至所述多个存储器单元；以及

控制逻辑部，被配置成：在编程操作期间，控制所述页缓冲器单元在第一时间间隔中选择所述第一类型的位线、而在第二时间间隔中选择所述第二类型的位线，

其中，所述一个第一类型的位线和所述一个第二类型的位线耦接至所述多个页缓冲器之中的每一个页缓冲器，

其中，对连接至所述多个位线之中的边缘位线的多个存储器单元进行编程的时刻不同于对连接至所述多个位线之中的与所述边缘位线相邻的位线的多个存储器单元进行编程的时刻，

其中，当耦接至所述多个页缓冲器之中的相邻页缓冲器中的每一个页缓冲器的位线是相邻的时，彼此相邻的位线具有同一类型，

其中，所述多个页缓冲器之中的彼此相邻的两个页缓冲器同时选择一个所述第一类型的位线或一个所述第二类型的位线，以及

其中，连接至所述多个页缓冲器之中的每一个页缓冲器的位线之一是根据位线的类型而在所述第一时间间隔中或所述第二时间间隔中被选择的。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述页缓冲器单元包括：

第一页缓冲器，被配置成在所述第一时间间隔中将数据传递到与第一存储器单元耦接的第一位线，在所述第二时间间隔中将数据传递到与第二存储器单元耦接的第二位线；

第二页缓冲器，被配置成在所述第一时间间隔中将数据传递到与第四存储器单元耦接的第四位线，在所述第二时间间隔中将数据传递到与第三存储器单元耦接的第三位线。

3.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述第二位线和所述第三位线彼此相邻。

4.如权利要求3所述的半导体存储器件，其中，所述第一页缓冲器和所述第二页缓冲器彼此相邻。

5.一种半导体存储器件的操作方法，所述半导体存储器件具有耦接到字线的第一存储器单元和第二存储器单元，所述方法包括：

第一编程操作：对所述第一存储器单元进行编程；以及

第二编程操作：对所述第二存储器单元进行编程，

其中，所述第一存储器单元经由第一类型的位线耦接至多个页缓冲器，而所述第二存储器单元经由第二类型的位线耦接至所述多个页缓冲器，

其中，一个所述第一类型的位线和一个所述第二类型的位线耦接至所述多个页缓冲器之中的每一个页缓冲器，

其中，对连接至所述多个位线之中的边缘位线的多个存储器单元进行编程的时刻不同于对连接至所述多个位线之中的与所述边缘位线相邻的位线的多个存储器单元进行编程的时刻，

其中，当耦接至所述多个页缓冲器之中的相邻页缓冲器中的每一个页缓冲器的位线是相邻的时，彼此相邻的位线具有同一类型，

其中，所述多个页缓冲器之中的彼此相邻的两个页缓冲器同时选择一个所述第一类型的位线或一个所述第二类型的位线，以及

其中，连接至所述多个页缓冲器之中的每一个页缓冲器的位线之一是根据位线的类型而在第一时间间隔中或第二时间间隔中被选择的。

6.如权利要求5所述的操作方法，其中，所述第一编程操作包括：

选择与所述第一存储器单元耦接的所述第一类型的位线；以及

将相应的编程电压分别施加给所述第一类型的位线。

7.如权利要求6所述的操作方法，其中，所述第二编程操作包括：

选择与所述第二存储器单元耦接的所述第二类型的位线；以及

将相应的编程电压分别施加给所述第二类型的位线。