[发明专利]一维铜-氮氧自由基配位聚合物及其制备方法与应用

权利要求书

1.一维铜-氮氧自由基配位聚合物，具有如下的结构：

{[Cu(NIT3Py)₂(phda)]₂}_n(1)具有如图1和2的结构或

{[Cu(NIT4Py)(phda)(H₂O)]₂}_n(2)具有如图3和4的结构

其中NIT3Py代表间位吡啶自由基 

NIT4Py代表对位吡啶自由基

phda代表邻苯二乙酸（）；

n 表示以该单元重复，数值在10⁴~10⁵范围内。

2.一维铜-氮氧自由基配位聚合物晶体，其特征在于(1)属于三斜晶系，P空间群，其基本的组成单元中包含一个铜离子、两个间位吡啶自由基配体和一个邻苯二乙酸分子，该配合物的配位环境如图1所示；(2)属于单斜晶系，C2/c空间群，其基本的组成单元中包含一个铜离子、一个对位吡啶自由基配体、一个邻苯二乙酸分子和一个水分子，该配合物的配位环境如图3所示。

3.权利要求2所述一维铜-氮氧自由基配位聚合物晶体的制备方法，其特征在于：

晶体(1)或(2)的制备：常温下，将硝酸铜和间位或对位吡啶自由基配体搅拌下溶于水和甲醇的混合溶剂中，搅拌0.5-1小时，然后滴加邻苯二乙酸二钠盐水溶液，搅拌0.5-1小时，过滤得深蓝色溶液，滤液静置在室温下缓慢挥发，10-15天后得到适合X射线分析的绿色条状晶体(1)或(2)；其中硝酸铜：吡啶自由基配体：邻苯二乙酸二钠盐的毫摩尔比为0.1：0.2：0.1。

4.权利要求3所述一维铜-氮氧自由基配位聚合物晶体的制备方法，其中水和甲醇的混合溶剂指的是甲醇所占体积比为40%至60%的甲醇水溶液。

5.权利要求2所述一维铜-氮氧自由基配位聚合物晶体在制备分子信息存储材料方面的应用。

6.权利要求5所述的应用，其中的分子信息存储材料指的是计算机电子产业中的分子导线、分子开关和分子存储器。