[发明专利]具有非易失性存储器件的多值逻辑器件

权利要求书

1.一种多值逻辑器件，包含：

转换单元，被配置成把多级信号转换为多个部分信号，

其中所述转换单元包括：

比较单元，被配置成产生多个周期信号，所述周期信号对应于所述多级信号的级之间的边界,和

解码器，被配置成基于所述多个周期信号产生所述多个部分信号；

多个非易失性存储器件，被配置成把所述多个部分信号分别存储，

其中，被分别存储在所述多个非易失性存储器件中的所述多个部分信号中的每一个的比特数均小于所述多级信号的比特数；和

级恢复单元，被配置成使用所述多个周期信号恢复并输出所述多级信号。

2.如权利要求1所述的多值逻辑器件，其中，所述多个部分信号中的每一个均是1比特信号，以及

所述多个非易失性存储器件中的每一个均是被配置成存储1比特信号的单层单元(SLC)非易失性存储器件。

3.如权利要求1所述的多值逻辑器件，还包含：

写单元，被配置成根据写信号把所述多个部分信号分别存储在所述多个非易失性存储器件中。

4.如权利要求3所述的多值逻辑器件，还包含：

控制单元，被配置成产生所述写信号，并把所述写信号传送到所述写单元，所述写信号基于所述多个部分信号改变所述多个非易失性存储器件的电阻。

5.如权利要求3所述的多值逻辑器件，其中：

所述写单元包括多个连接到所述多个非易失性存储器件的电压施加单元，并且所述多个电压施加单元被配置成分别改变所述多个非易失性存储器件的电阻。

6.如权利要求5所述的多值逻辑器件，其中，所述多个电压施加单元中的每一个均包括：

第一状态电压施加单元，被配置成把所述多个非易失性存储器件中的每一个的电阻改变到第一状态；和

第二状态电压施加单元，被配置成把所述多个非易失性存储器件中的每一个的电阻改变到第二状态。

7.如权利要求1所述的多值逻辑器件，还包含：

读单元，被配置成根据读信号输出所述多级信号。

8.如权利要求7所述的多值逻辑器件，其中，所述读单元包括分别连接到所述多个非易失性存储器件的多个电流产生单元，并且，所述多个电流产生单元中的每一个均被配置成基于存储在所述多个非易失性存储器件中的所述多个部分信号中的每一个，输出所述多级信号的部分。

9.如权利要求8所述的多值逻辑器件，其中，所述多个电流产生单元中的每一个均被连接在所述读单元的输出端子和所述多个非易失性存储器件中的每一个之间。

10.如权利要求9所述的多值逻辑器件，其中，所述多个电流产生单元中的每一个均包括电流镜电路，所述电流镜电路被配置成基于在所述多个非易失性存储器件的每一个中流动的电流，输出所述多级信号的部分。

11.如权利要求1所述的多值逻辑器件，其中，所述多个非易失性存储器件按阵列对齐。

12.如权利要求1所述的多值逻辑器件，其中，所述多个部分信号是二进制信号，并且所述解码器包括被配置成基于所述多个周期信号产生所述二进制信号的二进制解码器。

13.如权利要求1所述的多值逻辑器件，其中，所述级恢复单元被配置成根据时钟信号激活以便输出所述多级信号。

14.如权利要求1所述的多值逻辑器件，其中，所述级恢复单元包括电流镜电路，所述电流镜电路被配置成基于根据所述周期信号流动的电流，输出所述多级信号。

15.如权利要求1所述的多值逻辑器件，还包含：

写单元，被配置成把所述多个部分信号存储在所述多个非易失性存储器件中，

读单元，被配置成组合所述多个部分信号以输出所述多级信号，和

控制单元，被配置成基于所述多个部分信号控制所述写单元和所述读单元。

16.如权利要求15所述的多值逻辑器件，其中，所述写单元被配置成基于所述多个部分信号改变所述多个非易失性存储器件的电阻。