[发明专利]有机EL装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 201210454062.0 申请日: 2012-11-13
公开(公告)号: CN103123955A 公开(公告)日: 2013-05-29
发明(设计)人: 远藤太郎;佐藤信彦 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李颖
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 有机 el 装置 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及有机EL装置的制造方法。

背景技术

在有机EL装置的制造方法中使用光刻法将有机化合物层构图的技术是已知的。日本专利No.4145571公开了以下方法:在电荷注入层上形成发光层、在发光层上以预定的图案形成光刻胶层、然后在不去除电荷注入层的情况下通过干蚀刻去除没有被光刻胶层覆盖的区域中的发光层,由此执行构图。根据该方法,不必每当发光层经受构图时重新沉积电荷注入层,并且,只需要一个沉积电荷注入层的步骤。因此,制造效率较高,并且还可减少材料的损耗。

有机EL装置包括多个有机EL元件,每个有机EL元件具有包含发光层的有机化合物层被夹在一对电极之间的结构。在有机EL元件中,空穴和电子分别从一个电极和从另一电极被注入到有机化合物层中,并且,空穴和电子在发光层中重新结合以产生光。除了发光层以外,有机化合物层可包含已知的功能层。在日本专利No.4145571中,为了以平衡的方式将电荷注入到发光层中并提高发光效率,设置电荷注入层作为功能层。

日本专利No.4145571公开了通过涂覆方法沉积有机化合物或无机氧化物作为电荷注入层。关于通过涂覆方法形成的膜,在一些情况下,会在该膜中残留在涂覆处理中使用的诸如溶剂的有机物和用于膜材料的前体等。可以相信,当这种电荷注入层暴露于蚀刻气体时,残留于表面上的有机物与蚀刻气体反应,从而导致表面轮廓的粗糙化或表面的膜性质的变化。因此,当如日本专利No.4145571那样通过涂覆方法形成电荷注入层时,在通过干蚀刻将有机化合物层构图的步骤中,电子注入层的表面会粗糙化或者膜性质会变化,从而导致电荷注入效率的降低。即使当在这种电荷注入层上层叠发光层时,也不可能改善有机EL装置的发光特性。

发明内容

本发明提供具有优异的发光特性的有机EL装置的制造方法,其中,不必对于有机化合物层的各构图重新沉积电荷注入层,并且,可从电极有效地注入电荷。

在本发明的一个方面中,提供一种有机EL装置的制造方法,所述有机EL装置包括第一电极、第二电极、以及夹在第一电极与第二电极之间的电荷注入层和有机化合物层,该方法包括:通过真空成膜处理在第一电极上形成由无机化合物构成的电荷注入层的步骤(i);在电荷注入层上形成有机化合物层的步骤(ii);在有机化合物层上的预定区域中选择性地形成掩模层的步骤(iii);以及通过利用干蚀刻去除不具有掩模层的区域中的有机化合物层而露出电荷注入层的步骤(iv),其中,步骤(ii)~(iv)被重复两次或更多次。

根据本发明,通过真空成膜处理形成由无机化合物构成的电荷注入层。通过真空成膜处理形成的由无机化合物构成的电荷注入层即使当暴露于蚀刻气体时也不可能被蚀刻或变质。因此,即使在通过干蚀刻将有机化合物层构图之后也可保持良好的电荷注入性能,并且,能够制造具有优异的发光特性的有机EL装置。

参照附图阅读示例性实施例的以下描述,本发明的其它特征将变得清晰。

附图说明

图1A~1L是表示根据本发明的第一实施例的有机EL装置的制造方法中的步骤的断面图。

图2A~2K是表示根据本发明的第二实施例的有机EL装置的制造方法中的步骤的断面图。

图3A~3D是表示根据例子2的有机EL装置的制造方法中的步骤中的一些的断面图。

图4是示意性地表示根据本发明的有机EL装置的透视图。

具体实施方式

将参照附图描述根据本发明的有机EL装置的实施例。对于没有特别示出或描述的部分,可以应用公知的技术或本领域中众所周知的技术。应当注意,以下描述的实施例仅是例子,并且,本发明不限于此。可以组合使用实施例。

第一实施例

图1A~1L是表示根据本发明的第一实施例的有机EL装置的制造方法中的步骤的断面图。有机EL装置在基板10上具有显示不同的颜色的第一子像素3、第二子像素4和第三子像素5。图4是示意性地表示有机EL装置的透视图。基板10具有显示区域8和外部连接端子9。在显示区域8中二维地排列第一子像素3、第二子像素4和第三子像素5。外部连接端子9通过互连线(未示出)与电路(未示出)电连接。

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