[发明专利]有机EL装置的制造方法

权利要求书

1.一种有机EL装置的制造方法，所述有机EL装置包括第一电极、第二电极、以及夹在第一电极与第二电极之间的电荷注入层和有机化合物层，该方法包括：

通过真空成膜处理在第一电极上形成由无机化合物构成的电荷注入层的步骤（i）；

在电荷注入层上形成第一有机化合物层的步骤（ii）；

在第一有机化合物层上的预定区域中选择性地形成掩模层的步骤（iii）；

通过利用干蚀刻去除不具有掩模层的区域中的第一有机化合物层而使电荷注入层露出的步骤（iv）；

在露出的电荷注入层上形成第二有机化合物层的步骤（v）；和

在第一有机化合物层和第二有机化合物层上形成第二电极的步骤（vi）。

2.根据权利要求1的有机EL装置的制造方法，其中，通过使用光刻来执行步骤（iii）。

3.根据权利要求1的有机EL装置的制造方法，在步骤（ii）与步骤（iii）之间，还包括形成由硅氮化物、硅氧化物和硅氮氧化物中的任一种构成的保护层的步骤，

其中，在步骤（iv）中，去除没有被掩模层覆盖的区域中的所述保护层。

4.根据权利要求3的有机EL装置的制造方法，在步骤（ii）与形成保护层的步骤之间，还包括形成由水溶性无机材料或水溶性聚合物构成的中间层的步骤，

其中，在步骤（iv）中，去除没有被掩模层覆盖的区域中的所述中间层。

5.根据权利要求1的有机EL装置的制造方法，在步骤（ii）与步骤（iii）之间，还包括形成由水溶性无机材料或水溶性聚合物构成的中间层的步骤，

其中，在步骤（iv）中，去除没有被掩模层覆盖的区域中的所述中间层。

6.根据权利要求1的有机EL装置的制造方法，其中，在使电荷注入层露出的步骤中使用的蚀刻气体包含氧气，并且，电荷注入层由氧化的无机化合物构成。

7.根据权利要求6的有机EL装置的制造方法，其中，所述无机化合物是钼氧化物、钨氧化物、钛氧化物和五氧化二钒中的任一种。

8.根据权利要求6的有机EL装置的制造方法，其中，所述电荷注入层具有小于100nm的厚度。

9.一种有机EL装置的制造方法，所述有机EL装置包括第一电极、第二电极、以及夹在第一电极与第二电极之间的电荷注入层和有机化合物层，所述有机化合物层是图案状形成的，该方法包括：

通过真空成膜处理依次形成第一电极和电荷注入层的步骤（i）；

将第一电极和电荷注入层构图的步骤（ii）；

在电荷注入层上形成第一有机化合物层的步骤（iii）；

在第一有机化合物层上的预定区域中选择性地形成掩模层的步骤（iv）；

通过利用干蚀刻去除不具有掩模层的区域中的第一有机化合物层而使电荷注入层露出的步骤（v）；

在露出的电荷注入层上形成第二有机化合物层的步骤（vi）；和

在第一有机化合物层和第二有机化合物层上形成第二电极的步骤（vii），

其中，步骤（ii）包含：

在电荷注入层上图案状形成掩模层的步骤（ii-a）；

去除不具有掩模层的区域中的电荷注入层和第一电极的步骤（ii-b）；及

去除掩模层的步骤（ii-c）。

10.根据权利要求9的有机EL装置的制造方法，其中，通过使用光刻来执行步骤（iv）。

11.根据权利要求9的有机EL装置的制造方法，其中，在步骤（iii）与步骤（iv）之间，还包括形成硅氮化物、硅氧化物和硅氮氧化物中的任一种构成的保护层的步骤，

其中，在步骤（v）中，去除没有被掩模层覆盖的区域中的保护层。

12.根据权利要求11的有机EL装置的制造方法，其中，在步骤（iii）与形成保护层的步骤之间，还包括形成由水溶性无机材料或水溶性聚合物构成的中间层的步骤，

其中，在步骤（v）中，去除没有被掩模层覆盖的区域中的所述中间层。

13.根据权利要求9的有机EL装置的制造方法，其中，在步骤（iii）与步骤（iv）之间，还包括形成由水溶性无机材料或水溶性聚合物构成的中间层的步骤，

其中，在步骤（v）中，去除没有被掩模层覆盖的区域中的所述中间层。