[发明专利]降低晶圆漏电流的结构及设置该结构的等离子体处理室

权利要求书

1.一种降低晶圆漏电流的结构，设置在等离子体处理室，该等离子体处理室包含基座，设置在所述基座表面上的静电吸盘，埋设在该静电吸盘中的直流电极，以及与所述静电吸盘连接的直流供电电源；在该静电吸盘上安装待蚀刻的晶圆；其特征在于，

所述降低晶圆漏电流的结构是一个串联连接在所述直流供电电源的输出端和静电吸盘之间的限流阻抗，所述限流阻抗的阻值大于1MΩ。

2.如权利要求1所述的降低晶圆漏电流的结构，其特征在于，所述的限流阻抗的取值取决于静电吸盘吸附晶圆所需的直流供电电源的输出电压值，即取决于直流供电电源的等效电压。

3.如权利要求2所述的降低晶圆漏电流的结构，其特征在于，当直流供电电源的等效电压为-500V时，即静电吸盘吸附晶圆为低压吸附时，所述的限流阻抗的取值范围为1MΩ～50MΩ。

4.如权利要求3所述的降低晶圆漏电流的结构，其特征在于，所述的限流阻抗的取值范围为20MΩ～30MΩ。

5.如权利要求2所述的降低晶圆漏电流的结构，其特征在于，当直流供电电源的等效电压为100-3000V时，即静电吸盘吸附晶圆为高压吸附时，所述的限流阻抗的取值范围为10MΩ～1000MΩ。

6.如权利要求5所述的降低晶圆漏电流的结构，其特征在于，所述的限流阻抗的取值范围为200MΩ～300MΩ。

7.如权利要求4或6所述的降低晶圆漏电流的结构，其特征在于，所述的作为降低晶圆漏电流结构的限流阻抗包括一个可变电阻，根据供电电压的不同调节对应的阻抗值。

8.如权利要求4或6所述的降低晶圆漏电流的结构，其特征在于，所述的作为降低晶圆漏电流结构的限流阻抗是一个大电阻。

9.一种等离子体处理室，包含基座，设置在所述基座表面上的静电吸盘，埋设在该静电吸盘中的直流电极，以及与所述静电吸盘连接的直流供电电源；在该静电吸盘上安装待蚀刻的晶圆；其特征在于，

该等离子体处理室还包含串联连接在所述直流供电电源的输出端和静电吸盘之间的限流阻抗，所述限流阻抗的阻值大于1MΩ。

10.如权利要求11所述的降低晶圆漏电流的结构，其特征在于，所述的限流阻抗的取值取决于静电吸盘吸附晶圆所需的直流供电电源的输出电压值，即取决于直流供电电源的等效电压。

11.如权利要求12所述的降低晶圆漏电流的结构，其特征在于，当直流供电电源的等效电压为-500V时，即静电吸盘吸附晶圆为低压吸附时，所述的限流阻抗的取值范围为1MΩ～50MΩ。

12.如权利要求13所述的降低晶圆漏电流的结构，其特征在于，所述的限流阻抗的取值范围为20MΩ～30MΩ。

13.如权利要求12所述的降低晶圆漏电流的结构，其特征在于，当直流供电电源的等效电压为100-3000V时，即静电吸盘吸附晶圆为高压吸附时，所述的限流阻抗的取值范围为10MΩ～1000MΩ。

14.如权利要求15所述的降低晶圆漏电流的结构，其特征在于，所述的限流阻抗的取值范围为200MΩ～300MΩ。

15.如权利要求14或16所述的降低晶圆漏电流的结构，其特征在于，所述的作为降低晶圆漏电流结构的限流阻抗具有一个可变电阻，根据供电电压的不同调节对应的阻抗值。

16.如权利要求14或16所述的降低晶圆漏电流的结构，其特征在于，所述的作为降低晶圆漏电流结构的限流阻抗是一个大电阻。