[发明专利]一种考虑浅沟槽隔离的场效应晶体管模型参数修正方法

权利要求书

1.一种考虑浅沟槽隔离的场效应晶体管模型参数修正方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：

1)采用寄生参数提取工具从输入版图提取STI结构参数，该结构参数包括W、L、SA、SB、STIW、STIL,其中，W为MOSFET栅极和有源区交叠部分宽度，L为MOSFET栅极和有源区交叠部分长度，SA为MOSFET栅极左边界到有源区左边界距离，SB为MOSFET栅极右边界到有源区右边界距离，STIW为MOSFET有源区与STI范围边界在长度方向的距离，STIL为MOSFET有源区与STI范围边界在宽度方向的距离；

2)根据STI结构参数W、L、SA、SB、STIW、STIL，计算MOSFET沟道内沿沟道长度方向的应力σ_l，以及沿沟道宽度方向的应力σ_t；具体包括：

21)根据步骤1)得到的STI结构参数，计算MOSFET沟道长度方向平均应力σ_l；计算过程如下：

σledge=(1+a1LOD)STIWSTIW+a2(1+a3STILSTIL+a4)(1+a5W)σlsat---(1)]]>

favg=a6SA+L/2+a6+a6SB+L/2+a6---(2)]]>

σ_l=σ_ledgef_avg                                                ⑶

其中σ_ledge和f_avg为计算中间变量；a₁～a₆和σ_lsat为拟合参数，由集成电路制造厂商提供；

22)根据步骤1)得到的STI结构参数，计算MOSFET沟道宽度方向应力分布σ_t；计算过程如下：

σtedge=(1+b1w)STILSTIL+b2(1+b3STIWSTIW+b4)(1+b5LOD)σtsat---(4)]]>

σtbot=c1W+c2σtegde---(5)]]>

fexp=d1W+d2+d3---(6)]]>

σ_t(x)=(σ_tedge-σ_tbot)exp(-f_expx)+σ_tbot                            ⑺

其中σ_tedge、σ_tbot和f_exp为计算中间变量；b₁～b₅、c₁、c₂、d₁～d₃和σ_tsat为拟合参数，由集成电路制造厂商提供；

3)计算MOSFET模型参数修正量：电子迁移率修正量Δμ_n、空穴迁移率修正量Δμ_p、N型MOSFET阈值电压修正量ΔV_thn和P型MOSFET阈值电压修正量ΔV_thp、电子饱和速度修正量Δv_satn和空穴饱和速度修正量Δv_satp；具体包括：

31)将步骤2)中得到的MOSFET沟道应力σ_l和σ_t带入到Y.Tan的电子迁移率模型中，计算得到电子迁移率修正量Δμ_n；

32)将步骤2)中得到的MOSFET沟道应力σ_l和σ_t带入到Obradovic B的空穴迁移率模型中，计算得到空穴迁移率修正量Δμ_p；

33)将步骤2)中得到的MOSFET沟道应力σ_l和σ_t带入到W.Zhang的阈值电压模型中，分别计算得到N型MOSFET阈值电压修正量ΔV_thn和P型MOSFET阈值电压修正量ΔV_thp；

34)采用公式（8）计算电子饱和速度修正量Δv_satn：

Δvsatn=vsatn0αnΔμnμn0---(8)]]>

采用公式（9）计算空穴饱和速度修正量Δv_satp：

Δvsatp=vsatp0αpΔμpμp0---(9)]]>

其中v_satn0和v_satp0为MOSFET模型中电子饱和速度和空穴饱和速度的参数原始数值，α_n和α_p为拟合参数，μ_n0和μ_p0为MOSFET模型中电子迁移率和空穴迁移率的参数原始数值，Δμ_n和Δμ_p为电子迁移率修正量和空穴迁移率修正量；v_satn0、v_satp0、μ_n0、μ_p0、α_n和α_p由集成电路制造厂商提供，Δμ_n和Δμ_p由31)和32)得到。