[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体基底，所述半导体基底具有若干焊盘；

位于半导体基底上的第一绝缘层，所述第一绝缘层具有暴露所述焊盘表面的第一开口；

位于所述焊盘上的柱状电极，所述柱状电极包括本体和贯穿所述本体的通孔，所述通孔暴露焊盘表面；

位于所述柱状电极上的焊球，所述焊球包括位于柱状电极顶部的金属凸头和填充满所述通孔的填充部。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，位于所述本体中的通孔的数量为1个，所述柱状电极的通孔的半径与本体的宽度的比值为的1/10~10/1。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述本体的截面形状为圆环或中空的多边形。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述柱状电极的本体上具有若干呈等角度分布的刻缝，所述刻缝将本体分成若干呈等角度分布的独立的子本体。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述子本体的截面图形为圆环的一段。

6.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述填充部还填充满子本体之间的刻缝。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，位于所述本体中的通孔的数量大于1个，所述通孔在本体中独立分布。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述通孔在本体中呈直线分布、矩阵分布、同心圆分布、同心圆环分布、多边形分布或者不规则分布。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，第一绝缘层的表面与柱状电极的顶部表面平齐，所述第一开口的宽度等于柱状电极的直径，第一开口的侧壁与柱状电极的外侧表面接触。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，第一绝缘层的表面低于柱状电极的顶部表面，所述第一开口的宽度大于柱状电极的直径。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述焊球还具有位于柱状电极本体的外侧侧壁上的裙带部，裙带部的上部分与金属凸头连接，裙带部的下部分与柱状电极两侧的部分焊盘相连接，并与第一开口的侧壁相接触，所述裙带部的下部分的宽度大于上部分的宽度，裙带部的下部分的表面低于第一绝缘层的表面或与第一绝缘层的表面平齐或者高于第一绝缘层的表面。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述焊球的金属凸头与柱状电极的本体顶部表面之间、填充部与本体的内侧侧壁之间、以及裙带部与本体的外侧侧壁之间还具有金属阻挡层。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述金属阻挡层的为镍锡的双层结构、镍银的双层结构、镍金的双层结构或镍和锡合金的双层结构。

14.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：位于所述第一开口的底部和侧壁、以及部分第一绝缘层表面的再布线层，所述在布线层作为焊盘的一部分，所述柱状电极位于第一开口外的再布线层表面。

15.如权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，还包括：位于所述再布线层和第一绝缘层表面的第二绝缘层，所述第二绝缘层具有暴露部分所述再布线层表面的第二开口，柱状电极位于第二开口中。

16.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述第二绝缘层的表面与柱状电极的顶部表面平齐，所述第二开口的宽度等于柱状电极的直径，第二开口的侧壁与柱状电极的外侧表面接触。

17.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述第二绝缘层的表面低于柱状电极的底部表面，所述第二开口的宽度大于柱状电极的直径。

18.如权利要求17所述的半导体器件，其特征在于，所述焊球还具有位于柱状电极本体的外侧侧壁上的裙带部，裙带部的上部分与金属凸头连接，裙带部的下部分与柱状电极两侧的部分再布线层相连接，并与第二开口的侧壁相接触，所述裙带部的下部分的宽度大于上部分的宽度，裙带部的下部分的表面低于第二绝缘层的表面或与第二绝缘层的表面平齐或者高于第二绝缘层的表面。